Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 25 стр.

нии. По освободившимся тетраэдрическим позициям и «прыгают» ионы.
Увеличение разупорядоченности структуры (в том числе и с помощью ле-
гирования) приводит к возрастанию ионной проводимости.
           Поляризация диэлектриков и сегнетоэлектриков
     Диэлектрики – вещества, в которых очень трудно вызвать проводи-
мость (их электропроводность ~ 10–8–10–17 Ом–1·см–1). Под воздействием
обычных электрических полей происходит лишь поляризация кристалла
(смещение электрических зарядов). Поляризация может осуществляться
благодаря сдвигу ионов относительно друг друга, деформации электрон-
ных оболочек отдельных атомов, молекул, ионов либо ориентации элек-
трических диполей, существовавших в диэлектрике и в отсутствие элек-
трического поля. Степень поляризации зависит от дефектности структуры.
     Например, при введении в диэлектрический кристалл KCl кальция в
соответствии с процессом
                       CaCl2 ↔2 ClClx + CaK· + VK′ ,
                                (→2 KCl)
два возникающих противоположно заряженных дефекта образуют между
собой диполь, который ориентируется при приложении внешнего электри-
ческого поля. Таким образом, с увеличением концентрации примеси растет
поляризация кристаллов диэлектриков.
     Сегнетоэлектрики – вещества, обладающие в определенном интерва-
ле температур самопроизвольной (в отсутствие электрического поля) по-
ляризацией, сильно зависящей от внешних условий. Сегнетоэлектриком
является, например, титанат бария, обладающий структурой перовскита
(рис. 5). За счет того, что атом титана немного смещен от центра, происхо-
дит расхождение положительного и отрицательного зарядов и возникает
спонтанная поляризация. При появлении в кристалле вакансий бария или
кислорода искажение кристаллической решетки усиливается, что приводит


                                    25