Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 39 стр.

зующийся в кислородсодержащей атмосфере: ½ O2(g) ↔ O×O + V′Cu + h•;
Mn×Mn + h• ↔ Mn•Mn.
     Таким образом, варьируя условия получения – температуру термо-
обработки, парциальное давление летучего компонента, можно регулиро-
вать количество дефектов и получать материалы с необходимым набором
полезных свойств.
     Спинтронные материалы
     Спинтроника изучает магнитные и магнитооптические взаимодейст-
вия в полупроводниковых структурах, динамику и когерентные свойства
спинов в конденсированных средах, а также квантовые магнитные явления
в структурах нанометрового размера. Наряду с ранее известными магнети-
ками по мере развития спинтроники появились новые магнитные полупро-
водники – вещества, которые одновременно могут быть магнитами, полу-
проводниками и оптическими средами. Зонная структура магнитного по-
лупроводника отличается от двухзонной структуры обычных полупровод-
ников, металлов и диэлектриков наличием особой третьей зоны, которая
образуется электронными d- и f-оболочками атомов переходных или ред-
коземельных элементов.
     Основу нового поколения спинтронных материалов составляют т.н.
разбавленные магнитные полупроводники (РМП), синтезированные в 90-е
годы XX века. В них некоторые атомы элементов III группы полупровод-
никовой матрицы InAs, InP, GaAs, GaP или GaN случайным образом заме-
щены атомами переходных металлов с незаполненными 3d-электронными
оболочками. Важно, что РМП сохраняют кристаллическую структуру по-
лупроводниковой матрицы и изоэлектронны кремнию. Отличительной
особенностью этого класса магнитных полупроводников является зависи-
мость их температуры Кюри и других магнитных свойств от концентрации
легирующего элемента или плотности носителей тока.


                                  39