ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ния своих связей электрон из валентной зоны матрицы GaAs, поставляя,
таким образом, в матрицу делокализованную дырку.
Следует отметить, что образцы (In,Mn)As, (Ga,Mn)As и (Ga,Mn)P с
наивысшими Т
с
имеют высокие плотности дырочных носителей ~10
20
см
–3
и проявляют характеристики, свойственные ферромагнитным материалам.
Так, при 5 К наблюдали доменную структуру в виде полос шириной
1,5 мкм в ферромагнитной плёнке Ga
0,957
Mn
0,043
As на подложке из
Ga
0,84
In
0,16
As. В пользу нормального ферромагнетизма свидетельствуют
также прямоугольные петли гистерезиса намагниченности. С увеличением
температуры намагниченность и коэрцитивная сила материалов уменьша-
ются. При этом намагниченность РМП не пропорциональна концентрации
легирующих магнитных ионов.
Среди матриц типа А
III
В
V
у полупроводника InSb наименьшая шири-
на запрещенной зоны (0,17 эВ) и самая высокая подвижность электронов.
На его основе конструируют чувствительные холловские датчики, поэтому
понятен интерес к получению РМП на основе InSb. Методом молекулярно-
лучевой эпитаксии получены плёнки (In, Mn)Sb, среди которых ферромаг-
нетизм с Т
с
= 20 К проявляли образцы с проводимостью p-типа и плотно-
стью дырок 1,1 ⋅ 10
20
см
–3
, тогда как образцы с проводимостью n-типа и
плотностью электронов 8,6 ⋅ 10
18
см
–3
оказались парамагнетиками.
§ 6. Влияние магнитного поля на свойства
твердофазных материалов
Магнитная обработка материала – это воздействие в течение некото-
рого времени на материал или готовое изделие постоянного, переменного
или импульсного магнитного поля без каких-либо иных внешних воздей-
ствий с целью управляемого изменения структуры и свойств обрабатывае-
мого объекта.
41
ния своих связей электрон из валентной зоны матрицы GaAs, поставляя, таким образом, в матрицу делокализованную дырку. Следует отметить, что образцы (In,Mn)As, (Ga,Mn)As и (Ga,Mn)P с наивысшими Тс имеют высокие плотности дырочных носителей ~1020 см –3 и проявляют характеристики, свойственные ферромагнитным материалам. Так, при 5 К наблюдали доменную структуру в виде полос шириной 1,5 мкм в ферромагнитной плёнке Ga0,957Mn0,043As на подложке из Ga0,84In0,16As. В пользу нормального ферромагнетизма свидетельствуют также прямоугольные петли гистерезиса намагниченности. С увеличением температуры намагниченность и коэрцитивная сила материалов уменьша- ются. При этом намагниченность РМП не пропорциональна концентрации легирующих магнитных ионов. Среди матриц типа АIIIВV у полупроводника InSb наименьшая шири- на запрещенной зоны (0,17 эВ) и самая высокая подвижность электронов. На его основе конструируют чувствительные холловские датчики, поэтому понятен интерес к получению РМП на основе InSb. Методом молекулярно- лучевой эпитаксии получены плёнки (In, Mn)Sb, среди которых ферромаг- нетизм с Тс = 20 К проявляли образцы с проводимостью p-типа и плотно- стью дырок 1,1 ⋅ 1020 см–3, тогда как образцы с проводимостью n-типа и плотностью электронов 8,6 ⋅ 1018 см–3 оказались парамагнетиками. § 6. Влияние магнитного поля на свойства твердофазных материалов Магнитная обработка материала – это воздействие в течение некото- рого времени на материал или готовое изделие постоянного, переменного или импульсного магнитного поля без каких-либо иных внешних воздей- ствий с целью управляемого изменения структуры и свойств обрабатывае- мого объекта. 41
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »