Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 42 стр.

     При анализе современной литературы, посвященной исследованию
воздействия магнитного поля на твердое вещество, выделяются две основ-
ные группы явлений. Речь идет об эффектах, проявляющихся непосредст-
венно в процессе воздействия поля, и эффектах, которые имеют место
спустя некоторое время после магнитной обработки – так называемые эф-
фекты «магнитной памяти».

     Эффекты, проявляющиеся в процессе действия магнитного поля.
В ряде работ детально исследовано явление магнитопластического эффек-
та, впервые обнаруженное на образцах хлорида натрия, помещенных в по-
стоянное магнитное поле. Обнаруженный эффект представляет собой от-
крепление дислокаций от стопоров, а в качестве экспериментально наблю-
даемых физических явлений рассматриваются изменение кривых дефор-
мации и пределов текучести кристаллов в магнитном поле. Дальнейшие
исследования, проводимые на галогенидах щелочных металлов и других
ионных немагнитных материалах, убедительно доказывают, что параметры
пластического течения могут служить индикатором влияния магнитного
поля. Было обнаружено, что средний статистический пробег дислокаций во
всех исследованных кристаллах линейно нарастает с ростом квадрата маг-
нитной индукции и времени магнитной обработки образцов: l = l0 + βB2t,
где l0 – фоновое значение пробега, существующее и при B = 0, связанное с
выталкиванием приповерхностных стопоров.

     Практически вся совокупность наблюдаемых закономерностей нахо-
дит свое объяснение в рамках концепции спин-зависимых электронных
переходов во внешнем магнитном поле. Считается, что магнитное поле
порождает изменение спинового состояния в системе «дислокация – пара-
магнитный центр». Последний в ионных кристаллах ассоциируется с ка-
ким-либо примесным дефектом или с электроном, локализованном на дис-
локации. Подобная эволюция завершается снятием спинового запрета на

                                   42