Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 43 стр.

определенный электронный переход, который меняет конфигурацию сис-
темы, приводя к откреплению дислокаций от точечного дефекта.

     Это проявляется в отрицательном магнитопластическом эффекте,
т. е. ведет к разупрочнению. Причем, в рамках высказанной модели проис-
ходит не преодоление локальных барьеров, а их разрушение за некоторое
время. Другими авторами для объяснения этого эффекта было высказано
предположение о возможной связи эффекта с интеркомбинационными пе-
реходами (ИКП) между состояниями различной мультиплетности в ради-
кальных парах, возникающих при взаимодействии ненасыщенных связей
ядра дислокации с парамагнитными примесями.

     Положительный магнитопластический эффект в металлах объясняют
ростом электронной компоненты вязкого торможения дислокаций в маг-
нитном поле. Было обнаружено влияние магнитного поля с индук-
цией ~1 Тл на пластические свойства ионно-ковалентных полупроводни-
ковых диамагнитных кристаллов ZnS, а также на их фото- и электролюми-
несценцию. Высказано предположение о том, что открепление дислокаций
от стопоров может приводить к релаксации метастабильной фазы и влиять
на состояние точечных дефектов, находящихся в области фазовых перехо-
дов и ответственных за фото- и электролюминесценцию.

     Наряду с магнитопластическим эффектом было показано влияние
постоянного магнитного поля на скорость зародышеобразования и роста
кристаллов, на величину зерна и т.д. при кристаллизации диа- и парамаг-
нитных металлов и сплавов. При кристаллизации чистых металлов в маг-
нитном поле критический радиус зародыша и работа его образования
уменьшается, а фазовая кривая равновесия сдвигается в сторону более вы-
соких давлений и низких температур. Расчеты проведены для парамагнит-
ных материалов, хотя допускается предположение о справедливости пред-
ложенной модели и для диамагнитных веществ.

                                  43