Дефекты структуры и физические свойства кристаллов. Семенова Г.В - 45 стр.

дислокаций, индуцированного первичным действием поля. Также был сде-
лан вывод о магнитном преобразовании примесной подсистемы во време-
ни. Однако механизмы «магнитной памяти» дислокаций в работе не объ-
ясняются.
     Было обнаружено смещение краевых дислокаций в ионных кристал-
лах, стимулированное включением импульса магнитного поля с индукцией
15 Тл в отсутствии внешних механических напряжений. Авторами предпо-
лагалось, что движение дислокаций обусловлено силовым действием вих-
ревого электрического поля на заряженные дислокационные системы. Од-
нако энергия воздействия возникающего электрического поля не достаточ-
на для протекания наблюдающихся процессов. Были исследованы законо-
мерности перемещения краевых дислокаций в импульсном магнитном по-
ле (ИМП) и изучено влияние поля на состояние дефектов решетки. В ре-
зультате проведенных исследований было установлено, что многократное
включение одинаковых ИМП не приводило к заметному изменению сред-
них пробегов дислокаций. На основании полученных экспериментальных
данных авторы предположили, что под действием импульсного магнитно-
го поля в кристалле протекают процессы, результатом которых является
переход дефектов структуры в метастабильное состояние, отличающееся
пониженной чувствительностью дислокаций к последующему действию
импульсного магнитного поля. Таким образом, наблюдается эффект «за-
поминания» кристаллом факта воздействия ИМП, на что указывает потеря
чувствительности дислокаций к повторным импульсам.
     Установлено, что кратковременные воздействия импульсных магнит-
ных полей инициируют долговременный низкотемпературный распад твер-
дого раствора кислорода в кристаллах кремния, выращенных по методу Чох-
ральского (Cz-Si), приводящий к радикальному изменению всей микрострук-
туры кристаллов, что завершается образованием пространственно упорядо-


                                  45