Контроль качества мощных транзисторов по теплофизическим параметрам. Сергеев В.А. - 2 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

УДК 621.382.3:621.317.6 ББК
32.852.3
С 32
Рецензенты: д-р техн. наук Л.И. Волгин,
канд. техн. наук А.А. Широков
УДК 621.3 82.3:621.317.6
Сергеев В.А.
Контроль качества мощных транзисторов по теплофизическим параметрам/ Ульян, гос.
техн. ун-т. - Ульяновск: УлГТУ, 2000. - 253 с.
В монографии рассматриваются тепловые модели и параметры мощных транзисторов с учетом
эффектов неоднородного токораспределения и внутренней тепловой обратной связи в транзисторных
структурах. Анализируется влияние разброса тепловых параметров на характеристики транзисторных
схем.
Описываются оригинальные автоматизированные методы и средства контроля теплофизи-ческих
параметров мощных транзисторов, включая параметры тепловой неустойчивости. Приводятся
результаты экспериментальных исследований зависимости тепловых параметров транзисторов от
параметров теплового режима и внешних факторов. Приводятся также результаты выборочных
испытаний различных типов приборов, даны рекомендации по выбору информативных параметров и
режимов их измерения для повышения эффективности отбраковки.
Книга предназначена для инженерно-технических работников и специалистов, занимающихся
разработкой и производством полупроводниковых приборов и аппаратуры с их применением.
© В.А. Сергеев, 2000 ©
Оформление. УлГТУ, 2000
ISBN 5-89146-207-9