ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Предисповие
Задача обеспечения функциональной и физической надежности ра-
диоэлектронной аппаратуры на практике решается несколькими путями. Одним из
наиболее эффективных и экономически оправданных путей является отбраковка
дефектных и потенциально ненадежных полупроводниковых приборов и других
компонентов РЭА на стадии производства или вх одном контроле предприятий-
изготовителей электронной аппаратуры.
Как показывает статистика, накопленная практиками и исследователями за время
существования полупроводниковых приборов, одним из наименее надежных классов
приборов являются мощные транзисторы, поскольку они работают, как правило, в
очень жестких тепловых и электрических режимах.
Для мощных биполярных транзисторов характерны эффекты неоднородного, а
при некоторых условиях и неустойчивого распределения тока, мощности и
температуры по площади структуры, что приводит к существенному ускорению
механизмов деградации и разрушению прибора и снижению его надежности.
Простые измерения электрических параметров и характеристик не позволяют
эффективно выявлять потенциально ненадежные приборы с аномальным
распределением тока и температуры в структуре. Наиболее информативными в этом
отношении являются теплофизические параметры. Разработке методов и средств
измерения температу ры и теплофизических параметров мощных транзисторов
посвящено большое число публикаций. Однако до настоящего времени нет работ, в
которых бы анализировались методы и средства измерения теплофизических
параметров мощных транзисторов с точки зрения практической применимости и
эффективности использования на входном и выходном контроле в условиях массового
производства. Надеюсь, что данная монография в некоторой степени заполнит этот
пробел.
В первой части (главы 1, 2, 3) анализируются тепловые модели и параметры
мощных транзисторов с учетом эффектов неоднородного токо-распределения.
Во второй части (главы 4, 5, 6) рассматриваются практически реализуемые и в
большинстве случаев уже реализованные методы и устройства контроля
теплофизических параметров мощных транзисторов, включая параметры тепловой
неустойчивости, которые позволяют обеспечить точ-
3
