ВУЗ:
Составители:
248
сопротивления преобразователя при изменении температуры. В каче-
стве подложки используют тонкую (0,03−0,05 мм) бумагу, а также
пленку лака или клея, а при высоких температурах − слой специаль-
ного жаростойкого цемента.
Применяют также фольговые преобразователи, у которых вме-
сто проволоки используется фольга и пленочные тензорезисторы, по-
лучаемые путем возгонки тензочувствительного материала с после-
дующим осаждением его на подложку. В настоящее время серийно
выпускают интегральные полупроводниковые тензорезисторы, обра-
зующие мост или полумост с элементами термокомпенсации.
В качестве измерительных цепей для тензорезисторов исполь-
зуют равновесные и неравновесные мосты. Тензорезисторы применя-
ют для измерения деформаций и других неэлектрических величин:
усилий, давлений, моментов и т.п.
9.3.3. Индуктивные преобразователи
Принцип действия индуктивных преобразователей основан на
зависимости индуктивности или взаимной индуктивности обмоток на
магнитопроводе от положения, геометрических размеров и магнитно-
го состояния элементов их магнитной цепи.
Индуктивность обмотки, расположенной на магнитопроводе
(рис. 9.10),
mii
ZwL /
2
=
, где Z
m
− магнитное сопротивление магнито-
провода; w
i
− число витков обмотки.
Рис. 9.10. Магнитопровод с зазорами и двумя обмотками
сопротивления преобразователя при изменении температуры. В каче-
стве подложки используют тонкую (0,03−0,05 мм) бумагу, а также
пленку лака или клея, а при высоких температурах − слой специаль-
ного жаростойкого цемента.
Применяют также фольговые преобразователи, у которых вме-
сто проволоки используется фольга и пленочные тензорезисторы, по-
лучаемые путем возгонки тензочувствительного материала с после-
дующим осаждением его на подложку. В настоящее время серийно
выпускают интегральные полупроводниковые тензорезисторы, обра-
зующие мост или полумост с элементами термокомпенсации.
В качестве измерительных цепей для тензорезисторов исполь-
зуют равновесные и неравновесные мосты. Тензорезисторы применя-
ют для измерения деформаций и других неэлектрических величин:
усилий, давлений, моментов и т.п.
9.3.3. Индуктивные преобразователи
Принцип действия индуктивных преобразователей основан на
зависимости индуктивности или взаимной индуктивности обмоток на
магнитопроводе от положения, геометрических размеров и магнитно-
го состояния элементов их магнитной цепи.
Индуктивность обмотки, расположенной на магнитопроводе
(рис. 9.10), Li = wi2 / Z m , где Zm − магнитное сопротивление магнито-
провода; wi − число витков обмотки.
Рис. 9.10. Магнитопровод с зазорами и двумя обмотками
248
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 246
- 247
- 248
- 249
- 250
- …
- следующая ›
- последняя »
