ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
…………………………………………………………….
3
ОБЩИЕ ВОПРОСЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМЫ
…….. 5
1. ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА
…………… 9
2. КОНСТРУКЦИИ ИМС И ТЕХНОЛОГИИ ИХ
ПРОИЗВОДСТВА
…………………………………………………..
14
2.1. Типы ИМС, конструкции элементов и компонентов
……… 14
2.1.1. Интегральные микросхемы и их
классификация …... 14
2.1.2. Система обозначения микросхем
……………………. 17
2.1.3. Элементы полупроводниковых ИМС на
биполярных транзисторах
…………………………………………..
20
2.1.4. Элементы полупроводниковых ИМС на
полевых транзисторах
…………………………………………..
28
2.1.5. Элементы пленочных ИМС
…………………………. 31
2.1.6. Компоненты гибридных ИМС и микросборок
……... 34
2.2. Характеристика технологических процессов
изготовления ИМС
…………………………………………… 44
2.2.1. Технологический маршрут изготовления ИМС
на биполярных транзисторах
(изоляция p–n-переходами)
………………………….. 44
2.2.2. Технологический маршрут изготовления ИМС
на
полевых транзисторах
………………………………... 47
2.2.3. Технологический маршрут изготовления ИМС
на биполярных и полевых структурах
…………………..
49
2.2.4. Технологический маршрут изготовления
тонкопленочных гибридных микросхем
(ГИМС) …..
51
2.2.5. Технологический маршрут изготовления
толстопленочных ИМС
……………………………….
52
2.3. Выбор конструкции ИМС и технологии изготовления
……. 55
