ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3. РАСЧЕТ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИМС
……………………... 56
3.1. Расчет биполярных транзисторов
…………………………… 57
3.2. Расчет полевых транзисторов
……………………………….. 65
4. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ
ПАССИВНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ ИМС
………………………………………………... 80
4.1. Конструктивный расчет резисторов
………………………..
80
4.1.1. Расчет полупроводниковых резисторов
……………..
80
4.1.2. Расчет пленочных резисторов
………………………..
84
4.2. Расчет конденсаторов
………………………………………...
104
4.2.1. Полупроводниковые конденсаторы
………………….
104
4.2.2. Тонкопленочные конденсаторы
……………………...
105
4.2.3. Толстопленочные конденсаторы
……………………..
111
4.3. ЭЛЕМЕНТЫ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ
И
ПАРАМЕТРАМИ ……………......
113
4.3.1. Пленочные RC-структуры с распределенными
параметрами
…………………………………………...
113
4.4. Индуктивные катушки
………………………………………. 114
4.4.1. Пленочные индуктивные катушки
………………….. 114
4.5. Межсоединения, контактные площадки
…………………….
118
4.5.1. Конструирование пленочных контактов
…………….
118
4.5.2. Конструктивный расчет межэлементных
соединений
120
5. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИЙ ИМС И
МИКРОСБОРОК ……
122
5.1. Разработка топологии
………………………………………...
123
5.2. Выбор или разработка корпуса
………………………………
151
5.3. Проверочные расчеты
………………………………………...
161
5.3.1. Ориентировочный расчет теплового режима
ИМС …
161
5.3.2. Расчет показателей надежности
……………………...
166
5.3.3. Обеспечение влагозащиты микросхем
………………
167
ПРИЛОЖЕНИЯ
………………………………………………………..
173
