Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Способы установки на плату, электрические параметры, габаритные и присоединительные размеры диодов,
безкорпусных диодных матриц, диодных сборок приведены в табл. 2.1.9 и на рис. 2.1.19.
Рис. 2.1.19. Способы установки диодных матриц и сборок на плату
2.1.9. Способы установки, электрические параметры, габаритные и присоединительные размеры
бескорпусных диодных матриц, диодных сборок, диодов
Электрические параметры
Габаритные размеры,
мм, не более
Способ
установки
Тип
U
обр max
,
В
I
пр max
,
мА
Количество
диодов
Схема соединения a b H
Масса,
г, не
более
2Д918Б, 2Д918Г 40 50 4 С общим анодом 1,15 1,15 1,0 0,005
Рис. 2.1.19,
а
КД907Б, Д907Г 40 50 4 С общим анодом 1,15 1,15 1,0 0,006
КД901А-Д901Г 10 – 6 С общим катодом 1,1 1,3 0,8 0,005
Рис. 2.1.19,
б
2Д904А-Д904Е 12 5 6 С общим катодом
1,3
1,0
1,1
1,0
1,0 0,010
Рис. 2.1.19,
в
2ДС408А, 2ДС408Б 12 20 4
Диоды не соединены
между собой
0,9 1,1 0,7 0.006
2Д910А-Д910В 5 10 3 С общим катодом 1,0 1,0 1,0 0,01
Рис. 2.1.19,
г
2Д911А-2Д911Б 5 10 3 С общим катодом 1,0 1,0 1,0 –
2Д912А 10 5 3 С общим анодом 0,75 0,75 0,34 0,01
Рис. 2.1.19,
в
2Д913А 10 5 3 С общим анодом 0,75 0,75 0,75 0,002
П р и м е ч а н и е: U
обр max
– постоянное обратное напряжение в интервале температур –60…+85 °С; I
пр max
–
суммарный средний прямой ток через все диоды или один диод в интервале температур –60…+85 °С.
б)

Страницы