Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2.1.17. Конструкции пленочных конденсаторов:
а – трехслойный с выводами в разные стороны; б – трехслойный
с компенсатором; в – в виде пересекающихся дорожек; г – гребенчатый;
д – в виде последовательно включенных конденсаторов;
е – в виде параллельно расположенных проводящих пленок; 1 – подложка;
2 – нижняя обкладка; 3 – диэлектрик; 4 – верхняя обкладка; 5 – компенсатор
Базовой конструкцией следует считать вариант, показанный на рис. 2.1.17, а.
Особенностью такой конструкции является то, что контур диэлектрика выходит за пределы обкладок, а
верхняя обкладка вписывается в контур нижней. По этой причине неточность совмещения мало влияет на
номинальное значение емкости. Это позволяет выполнять нижнюю обкладку и диэлектрик более простым
масочным методом. Активная площадь обкладок может достигать 5 мм
2
. Диапазон получаемых емкостей – в
пределах (3…5)⋅10
3
пФ. Выводы выполняют также в одну сторону или под прямыми углами. Конфигурация
обкладок принимается чаще прямоугольной, но может быть и произвольной в зависимости от конфигурации
свободных мест на микросхеме.
При малых емкостях погрешность совмещения оказывается значительной и в этом случае (рис. 2.1.17, б) с
противоположной стороны от вывода предусматривается компенсатор 5.
В случае емкостей в десятки пикофарад достаточно пересечения проводящих пленок, разделенных
диэлектриком (рис. 2.1.17, в). Эта конструкция малочувствительна к взаимным смещениям элементов.
Гребенчатые конденсаторы (рис. 2.1.17, г) используют в высокочастотных устройствах. В них роль
диэлектрика выполняют подложка и воздушный зазор между обкладками 2 и 4. Диапазон емкостей не превышает
30 пФ.
Если необходимо выполнение емкостей малых номиналов, то можно воспользоваться конструкцией
последовательно включенных конденсаторов (рис. 2.1.17, д), а при емкостях в единицы или доли пикофарад
использовать как конденсатор два проводника, расположенных на близком расстоянии (рис. 2.1.17, е).
2.1.6. Компоненты гибридных ИМС и микросборок
Компонентами считают составляющие микросхем, выполняемые вне рассматриваемого процесса и
являющиеся в данном случае сборочными единицами. В качестве компонентов могут выступать резисторы,
конденсаторы, диоды, транзисторы, транзисторные матрицы, полупроводниковые ИМС, индуктивности,
дроссели, трансформаторы. Особенностью компонентов является их монтаж в ИМС, который должен
обеспечивать сохранение параметров самих компонентов и элементов, рядом с которыми они находятся,
сохранение целостности микросхемы в процессе эксплуатации в условиях вибраций, циклических изменений
температуры и др.
Выбор компонентов производится по параметрам, декларируемым и регламентируемым производителями. К
ним относятся система обозначений, геометрические, технологические характеристики, электрические
параметры и другие свойства.
Транзисторы и диоды обозначаются группой букв и цифр.
Первая буква в обозначении определяет материал прибора, например Г – германий и его соединения; К –
кремний и его соединения.
Вторая буква характеризует тип прибора: Т – транзисторы биполярные; П – транзисторы полевые; Д –
диоды.
Третий, четвертый и пятый элементы обозначения характеризуют качественные свойства или назначение
прибора, порядковый номер разработки.
Шестой элемент обозначения буквенный от А до Я, обозначает особенности прибора в серии.

Страницы