Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2.1.15. Конфигурации плавно подгоняемых
тонкопленочных резисторов
При использовании различных резистивных материалов и выбранных топологий в пленочном исполнении
можно выполнять широчайший диапазон номинальных значений. Если требуется высокая точность выходных
параметров, то можно использовать последующую подгонку. Обычно в этих случаях применяют удобные для
подгонки конфигурации, например приведенные на рис. 2.1.15.
Подгонка выходного параметра осуществляется удалением резистивной пленки в направлении,
показанном на рисунке стрелкой. Грубая подгонка достигается подрезкой перпендикулярно продольной оси,
плавная – параллельно. Точность плавной подгонки может составлять сотые доли процента и более
рационально ее применять для тонкопленочных структур.
В толстопленочной технологии отклонения номиналов после вжигания могут достигать 30…40 %. Поэтому
конструкции резисторов должны позволять проведение ступенчатой и плавной подгонок. Конфигурации
резисторов, удобных для ступенчатой подгонки, показаны на рис. 2.1.16.
Технология строится таким образом, чтобы получаемые номиналы резисторов отклонялись в основном в
сторону уменьшения. В таком варианте при подгонке последовательно удаляют дополнительные контакты 3 в
местах, показанных стрелками, и тем самым добиваются увеличения сопротивления до нужного значения (рис.
2.1.16, а, б). Возможен вариант увеличения сопротивления при удалении в местах по стрелкам перемычек в
самом теле резистора (рис. 2.1.16, в). Реже планируется подгонка в сторону уменьшения сопротивления, обычно в
сопротивлениях 1…3 Ом. В конструкции резистора (рис. 2.1.16, г) предусматриваются дополнительные контакты
3, последовательное подсоединение которых перемычками 4 увеличивает ширину, а соответственно уменьшает
сопротивление.
Рис. 2.1.16. Топологии резисторов для ступенчатой подгонки номинала:
а, б, в – с увеличением сопротивления; г – с уменьшением сопротивления; 1, 2 – основные контактные площадки; 3 –
дополнительные контакты; 4 – перемычки
Пленочные конденсаторы являются распространенными элементами пленочных и гибридных ИМС и
обеспечивают номинальные значения емкости до 5000 пФ. Основные конструкции представляют собой
трехслойные структуры метал-диэлектрик-металл, различающиеся топологией. Некоторые из конструкций
показаны на рис. 2.1.17.

Страницы