Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2.1.13. Структуры интегральных конденсаторов в МДП ИМС:
а – диффузионный с использованием областей стока-истока;
б – с использованием области стока (истока);
1 – подложка; 2 – диэлектрик; 3 – вывод от верхней обкладки; 4 – вывод от нижней обкладки; 5 – область p-типа; 6 – область
n
+
-типа; 7 – коллекторная область (эпитаксиальный слой); 8 – контакт к подложке
2.1.7. Параметры интегральных конденсаторов в МДП ИМС
№ п/п
Тип
конденсатора
Удельная
емкость С
0
,
пФ/мм
Максимальная
емкость С
max
, пФ
Допуск δ, %
ТКС(α
С
)×10
–3
,
1/°С
Пробивное нап-
ряжение U
пр
, В
Добротность
1 МДП с диэлектриком оксид
кремния SiO
2
400…600 500 ±20 0,015 30…50 25…80
2 МДП с диэлектриком нитрид
кремния Si
3
N
4
800…1600 1200 ±20 0,01 50 20…100
2.1.5. Элементы пленочных ИМС
Пленочные транзисторы использовались до настоящего времени ограниченно ввиду низкой
воспроизводимости выходных параметров. Развитие молекулярно-лучевой эпитаксии, проработка технологии
активных элементов на поликристаллическом и аморфном кремнии позволят в дальнейшем восполнить этот
пробел. Однако в настоящее время в пленочных ИМС используются полупроводниковые транзисторы и диоды
как компоненты, т.е. сборочные единицы, выполняемые в отдельном технологическом процессе.
Пленочные резисторы как элементы различаются большим конструктивным разнообразием и частично
представлены на рис. 2.1.14.
Рис. 2.1.14. Пленочные резисторы:
а – полосковый; б – z-образный; в – меандр; г, д – составные

Страницы