Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2.1.12. Структуры интегральных диффузионных конденсаторов:
1 – коллектор–подложка (С
1
); 2 – база–коллектор (С
2
); 3 – эмиттер–база (С
3
);
4 – переход из p-области изолирующей диффузии к скрытому n
+
-слою (С
4
)
В случае удельных сопротивлений исходной подложки 10 Ом/□, базы 200 Ом/□ и слоя эмиттера 2 Ом/□, а
также при глубине p–n-пере-
хода эмиттер–база 2,3 мкм, база–коллектор 2,7 мкм и коллектор–подложка 12,5 мкм удельные емкости p–n-
переходов имеют приблизительно следующие значения:
− коллектор–подложка 100 пФ/мм
2
, боковая стенка 250 пФ/мм
2
, пробивное напряжение перехода до 100 В;
удельная емкость p–n-перехода база–коллектор 350 пФ/мм
2
с пробивным напряжением 30…70 В;
− удельная емкость дна p–n-перехода эмиттер–база 600 пФ/мм
2
, боковой стенки 1000 пФ/мм
2
с пробивным
напряжением 7 В.
Ориентировочные параметры интегральных конденсаторов на БТ приведены в табл. 2.1.6.
2.1.6. Параметры диффузионных интегральных конденсаторов на БТ
№ п/п Тип конденсатора
Удельная
емкость С
0
,
пФ/мм
**
Максимальная
емкость С
max
, пФ
Допуск δ, %
ТКС(α
С
)×10
–3
,
1/°С
Пробивное
напряжение U
пр
,
В
Добротность
*
1 ДК на пере-
ходе Б–К 150 (350) 300 ±15…20 –1,0 30…70 50…100
2 ДК на пере-
ходе Э–Б
600 (1000) 1200 ±20 –1,0 7…8 1…20
3 ДК на пере-
ходе К–П 100 (250) – ±15…20 – 35…70 –
*
На частоте 1 МГц.
**
В скобках указаны значения емкости для боковых стенок p–n-пере-
ходов.
2.1.4. Элементы полупроводниковых ИМС на полевых транзисторах
Основным элементом ИМС на полевых структурах является МДП-транзистор. В нем проводимость
регулируется внешним электрическим полем, направленным перпендикулярно протеканию тока. Упрощенно
такой прибор можно представить как тонкую пластину полупроводника, заключенную между более широкими
слоями с высокой концентрацией примеси противоположного типа. Различают МДП-транзисторы с объемным и
приповерхностным каналами (рис. 2.1.12).
В случае приповерхностного канала различают две разновидности – со встроенным и индуцированным
каналами (2.1.12, а).
Транзистор выполняется на подложке n- или p-типа в виде приповерхностных областей истока 9 и стока 7,
между которыми организуется приповерхностный канал 6 одинаковой с ними проводимости, который называют
встроенным. Над каналом располагается тонкий (0,1…0,02 мкм) слой диэлектрика 8 и металлический пленочный
контакт 4 затвора. Между затвором и контактом 10 подложки создается электрическое поле, вектор которого
направлен перпендикулярно оси

Страницы