Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

2.1.5. Характеристики интегральных резисторов различных конструкций
№
п/п
Тип
резистора
Тол-
щина слоя,
мкм
Поверхностное
сопротив-
ление ρ
S
,
Ом/□
Допуск, %
TKС (α
R
), 1/°C
Паразитная
емкость, пФ/мм
2
1 Диффузион-
ный резистор
на основе базовой
области
2,5...
3,5
100...300 ±(5...20)
±(0,5...3)×
×10
–3
150...
350
2 Пинч-резистор
0,5...
1,0
(2...15)×
×10
3
±50
±(1,5...3)×
×10
–3
1000...
1500
3 Диффузион-
ный резистор
на основе эмиттерной
области
1,5...
2,5 1...10 ±20
±(1...5)×
×10
–4
1000...
1500
4 Эпитаксиаль-
ный резистор
7...
1,0
(0,5...5)×
×10
3
±(15...25)
±(2...4)×
×10
–3
80...
100
5 Ионно-легиро-ванный
резис-
тор n-типа
0,1...
0,2
(5...10)×
×10
2
±50
±(1,5...5)×
×10
–3
200...
350
Топологии резисторов могут быть весьма разнообразны, наиболее часто встречающиеся показаны на рис.
2.1.11.
Рис. 2.1.11. Топологии полупроводниковых диффузионных резисторов:
а – полосковый с коэффициентом формы < 1; б – полосковый с коэффициентом формы > 1; в – составной резистор; г – с
симметрично расположенными
контактами; д – с несимметрично размещенными контактами;
е – меандр; ж – пинч-резистор
Интегральные конденсаторы имеют небольшой диапазон номинальных значений, занимают значительные
площади дорогой полупроводниковой подложки и по этой причине при проектировании ИМС их стараются
избегать.
Чаще применяют диффузионные конденсаторы (ДК), для формирования которых используют один из p–n-
переходов. Несколько вариантов структур ДК показаны на рис. 2.1.12.
в)
г)

Страницы