Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Устранение недостатков может организовываться введением в базовую область дополнительных контактов и
созданием в базовой области дополнительного электрического поля, за счет которого уменьшается время
переноса инжектированных дырок, уменьшается инжекция носителей с донной части эмиттера (дрейфовый
транзистор).
Интегральные диоды могут формироваться на базе биполярного транзистора путем использования для
этого одного из p–n-переходов. Варианты структур диодов показаны на рис. 2.1.8, а их параметры приведены в
табл. 2.1.4.
Наиболее удобны для схемных применений переходы база–эмит-
тер, база–коллектор. Как следует из таблицы, наибольшие пробивные напряжения U
пр
в варианте с коллекторным
переходом, наибольшие паразитные емкости С
0
и обратные токи I
обр
в диодах с эмиттерным переходом. Емкость
диода между катодом и анодом С
д
оказывается наименьшей в варианте Б–Э. Время восстановления обратного
тока t
в
, характеризующее время переключения диода из открытого состояния в закрытое, минимально для
подключения БК–Э.
2.1.4. Параметры интегральных диодов в рамках структуры БТ
Номинальные значения параметров
№ п/п
Вариант
включения
Пробивное
напряжение U
пр
,
В
Обратный ток
I
обр
, нА
Емкость
диода
С
д
, пФ
Паразитная
емкость на
подложку С
0
, пФ
Время
восстановления
обратного тока t
в
,
нс
1 БК–Э 7...8 0,5...1,0 0,4 3 10
2 БЭ–К 40...50 15...30 0,7 3 50
3 Б–ЭК 7...8 20...40 !.2 3 100
4 Б–Э 7...8 0,5...1,0 0,5 1,2 50
5 Б–К 40...50 15...30 0,7 3 75
Оптимальными вариантами можно считать включения БК–Э, Б–Э, несмотря на самые низкие пробивные
напряжения (7...8 В).
Интегральные резисторы формируют в слоях БТ с базовой или эмиттерной диффузией, в эпитаксиальном
слое или дополнительным ионным легированием.
На основе базовой области формируют резисторы с номиналом до 60 кОм, что в основном определяется
возможностями выделения площади на обычно малых размеров кристалле. Конструктивно резистор выполняется
в виде полоски или меандра с контактными выводами (рис. 2.1.9, а).

Страницы