Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

На базе биполярного вертикального транзистора n
+
–p–n-типа можно представить достаточно большое число
конструктивных решений в зависимости от поставленных задач. В частности при проектировании мощных
транзисторов в области базы располагают несколько узких эмиттерных областей, объединенных общей шиной, а
между ними располагают несколько контактов и выводов из базовой области. Предпочтение отдают
симметричному расположению областей относительно друг друга.
Параметры интегральных транзисторов типа n
+
–p–n для средней степени интеграции приведены в таблице
2.1.3.
2.1.3. Параметры интегральных транзисторов типа n
+
–p–n
№ п/п Параметры Номинал Допуск ∆, %
Температурный
коэффициент, 1/°С
1 Коэффициент
усиления В 100...200 ±30
2 Предельная
частота f
т
, МГц 200...500 ±20
5 ⋅ 10
–3
3 Пробивное
напряжение U
кб
, В 40...50 ±30
4 Пробивное
напряжение U
эб
, В 7...8 ±5
(2...6) ⋅ 10
–3
К этому следует добавить, что транзисторы с более тонкой базой (W = 0,2...0,3 мкм) имеют коэффициент
усиления В = 2000...5000 при коллекторном токе I
к
= 20 мкА и уровне напряжения в пределах 1...2 В.
В качестве основного элемента могут использоваться также БТ
p–n–p-типа, уступающие по коэффициенту усиления и предельной рабочей частоте. Однако при их совмещении с
БТ n–p–n-типа на одной подложке усложняется технологический процесс, а соответственно уменьшается выход
годных.
В случае необходимости совмещения этих двух типов БТ без усложнения технологии транзистор p–n–p-типа
выполняют горизонтальным (рис. 2.1.7).
Особенностью конструкции этого БТ является организация тока между эмиттером 4 и коллектором 6 вдоль
поверхности и регулирование движения носителей потенциалом базы 5, передаваемым через скрытый
подколлекторный слой 8. Недостатком горизонтального БТ является необходимость использования широкой
базы для уменьшения относительной технологической погрешности. На выходные параметры влияет также
неоднородность распределения примесей по глубине области между эмиттером и коллектором.
Рис. 2.1.7. Конструкция горизонтального транзистора p–n–p-типа:
1 – подложка кремния p-типа; 2 – эпитаксиальный слой n-типа; 3 – защитная пленка оксида кремния SiO
2
; 4 –эмиттер p-типа;
5 – база n
+
-типа; 6 – коллектор p-типа; 7 – область изоляции встречновключенными
p–n-переходами; 8 – скрытый подколлекторный слой n
+
-типа; 9 – пленочная металлическая разводка (алюминий);
10 – области соседних транзисторов
SiO
2
n-э.с.

Страницы