Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

1 ЛБ 3
3
1
Порядковый номер разработки (по
функциональному признаку в
данной серии)
Порядковый номер разработки в данной
серии
Подгруппа и вид (по функциональному назначению)
Группа
Рис. 2.1.5. Условное обозначение ИМС до введения ГОСТ 18682–73
П р и м е р ы: 1) 1800ВБ2 – микросхема синхронизации микропроцессорного комплекта с серией 1800, с
порядковым номером разработки 2 в данной серии (по функциональному признаку); 2) 133ЛА1 –
полупроводниковая ИМС серии 133, логический элемент И-НЕ с порядковым номером 1 в серии по
функциональному признаку.
В маркировке ИМС, кроме основных признаков, могут вводиться условно дополнительные сведения:
− добавление в конце маркировки одной из букв (исключая З) М, О, Т, Ш, П, Ч, Ы, Ъ характеризует отличие
данного вида по электрическим характеристикам;
− для ИМС широкого применения в начале обозначения добавляется буква К (пример – К1800ВБ1,
К133ЛА1);
− при обозначении бескорпусных полупроводниковых ИМС вводятся дополнительно два элемента: в
начале обозначения ставится буква Б (бескорпусная ИМС); в конце обозначения – через дефис цифры
от 1 до 6, обозначающие вариант конструктивного исполнения выводов
(1 – с гибкими выводами, 2 – с ленточными (паучковыми) выводами и выводами, выполняемыми в полиимидной
пленке, 3 – с жесткими выводами в виде шариков и столбиков, 4 – на общей подложке без разделения друг от
друга, 5 – на подложке с разделением без потери ориентации (наклеенные на пленки), 6 – кристаллы с
контактными площадками без выводов) (пример – Б106ЛБ1А-1 – полупроводниковая, бескорпусная, серии Б106-
1, логический элемент И-НЕ/ИЛИ-НЕ, с гибкими выводами);
− перевод ИМС с исполнения в металлостеклянном корпусе в пластмассовый сопровождается добавлением
буквы Р в начале маркировки (пример – Р140УД1А);
− микросхемы повышенного качества дополнительно перед цифровым обозначением имеют буквы ОС (при
малом выпуске – ОСМ);
− экспортные ИМС имеют в начале букву Э (пример – ЭК1500ЛА1 – полупроводниковые ИМС серии
К1500, логический элемент И-НЕ в экспортном исполнении);
Более подробные сведения приведены в ГОСТ 18682–73, учебной [I], [2] и справочной литературе.
2.1.3. Элементы полупроводниковых ИМС
на биполярных транзисторах
Биполярный транзистор (БТ) является основным схемным (базовым) элементом одной из групп
полупроводниковых микросхем. Остальные элементы (диоды, резисторы, конденсаторы) проектируются с
учетом их совместимости с этой структурой и технологией.
Наибольшее распространение при средней степени интеграции получил БТ типа n
+
–p–n со скрытым
подколлекторным n
+
-слоем (рис. 2.1.6).

Страницы