Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

конденсаторов; НК – комбинированные; НП – прочие]; преобразователи (П) [ПС – частоты; ПФ – фазы; ПД –
длительности; ПН – напряжения; ПМ – мощности; ПУ – уровня (согласователи); ПА – код-аналог; ПВ –аналог-
код; ПР – код-код; ПП – прочие]; схемы вторичных источников питания (Е) [ЕВ – выпрямители; ЕМ –
преобразователи; ЕН – стабилизаторы напряжения; ЕТ – стабилизаторы тока; ЕП – прочие]; схемы
задержки (Б) [БМ – пассивные; БР – активные; БП – прочие]; схемы селекции и сравнения (С) [СА –
амплитудные (уровня и сигнала); СВ – временные; СС – частотные; СФ – фазовые; СП – прочие]; триггеры (Т)
[ТВ – типа В; ТР – типа Р; ТМ – типа М; ТТ – типа Т; ТП – динамические; ТЛ – Шмидта; ТК – комбинированные;
ТП – прочие]; усилители (У) [УВ – высокой частоты; УР – промежуточной; УИ – импульсных сигналов; УЕ –
повторители; УЛ – считывания и воспроизведения; УМ – индикации; УТ – постоянного тока; УД –
операционные и дифференциальные; УП – прочие]; фильтры (Ф) [ФВ – верхних частот; ФН – нижних частот;
ФБ – полосовые; ФР – режекторные; ФП – прочие]; формирователи (А) [АГ – импульсов прямоугольной формы;
АФ – импульсов специальной формы; АА – адресных токов; АР – разрядных токов; АП – прочие]; элементы
запоминающих устройств (Р) [РМ – матрицы-накопители оперативных запоминающих устройств; РВ –
матрицы-накопители постоянных запоминающих устройств; РУ – матрицы-накопители оперативных
запоминающих устройств со схемами управления; РЕ – матрицы-накопители постоянных запоминающих
устройств со схемами управления; РП – прочие]; элементы арифметических и дискретных устройств (И)
[ИР – регистры; ИМ – сумматоры; ИЛ – полусумматоры; ИЕ – счетчики; ИВ – шифраторы; ИД – дешифраторы;
ИК – комбинированные; ИП – прочие];
– четвертый элемент – условный номер разработки ИМС по функциональному признаку в данной серии,
ставится в сериях разработок ИМС, предназначенных для совместного применения в аппаратуре и имеющих
единое конструкторско-технологическое исполнение.
На рис. 2.1.4 в качестве примера приведена структура условного обозначения ИМС 140УД11, а в табл. 2.1.1 –
пример разбора этого обозначения.
1 40 У Д 1
1
Порядковый номер разработки
ИМС
(по функциональному
признаку)
Вид (по функциональному
назначению)
Подгруппа
Порядковый номер разработки ИМС данной серии
Группа (по конструктивно-технологическому исполнению)
Рис. 2.1.4. Условное обозначение ИМС по ГОСТ 18682–73
2.1.1. Структура условных обозначений и маркировки ИМС
Под-
группа
Вид
№
п/п
Условное
обозначение
ИМС
Группа по
конструктивно-
техно-
логическому
признаку
Серия
По функциональному
назначению
Порядковый номер в
данной серии по
функциональному
признаку
1 140УД11 Полупроводникова
я
140 "У" усилитель "Д"
операционный
11
Следует иметь ввиду то, что до введения ГОСТ 18682–73 маркировка отличалась буквенным обозначением
подгрупп и видов
(рис. 2.1.5).

Страницы