Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

энергопотребления, повышения надежности. На полупроводниковых ИМС удается организовать наиболее
компактные устройства.
В пленочных ИМС элементы выполняются на поверхности пассивной подложки (стекло, керамика, ситалл и
др.) в виде тонких
**
и толстых пленок.
Пример пленочных элементов приведен на рис. 2.1.3.
а) б)
Рис. 2.1.3. Элементы пленочных ИМС:
а, б – тонко- и толстопленочные резисторы соответственно
В пленочных ИМС затруднительно получение активных элементов, однако есть прекрасные возможности для
формирования всего набора пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и др.) элементов
достаточно широкого диапазона номиналов с хорошей воспроизводимостью.
Указанные типы микросхем не взаимозаменямые или конкурирующие, а скорее дополняющие друг друга. В
частности, на поверхности полупроводниковых ИМС могут выполняться в виде пленок пассивные элементы
(резисторы, конденсаторы и др.). Такие ИМС называют совмещенными, однако они не распространены из-за
малого диапазона номиналов пассивных элементов. Комбинация пленочных пассивных электрорадиоэлементов
(ЭРЭ) на диэлектрической подложке с активными полупроводниковыми бескорпусными компонентами
(транзисторами, диодами, полупроводниковыми ИМС) позволила создать так называемые гибридные ИМС
(ГИС). Это дает возможность выполнять сложнейшие микроустройства, используя полупроводниковые
планарные ЭРЭ и ИМС, выпускаемые серийно по сложной технологии. Разработка и изготовление гибридных
ИМС доступна большему числу предприятий как с точки зрения конструкторской проработки, так и по
технологической реализации небольших серий множества устройств.
В особенности это относится к гибридным толстопленочным ИМС, технология которых не требует сложного
оборудования.
Гибридные интегральные ИМС, включающие навесные пассивные компоненты (конденсаторы, резисторы
индуктивности и др.), активные полупроводниковые ЭРЭ и бескорпусные полупроводниковые ИМС, обычно
называют микросборками.
2.1.2. Система обозначения микросхем
Конструктивно-технологические варианты ИМС регламентируются ГОСТ 18682–73, ОСТ 11.073.915–80 по
группам, подгруппам и видам.
Обозначение интегральной микросхемы включает ряд элементов:
− первый элемент – цифра, обозначающая группу (1, 2, 3, ..., 8); группа определяет конструктивно-
технологический вариант: 1, 5, 6, 7 – полупроводниковые; 2, 4, 8 – гибридные; 3 – пленочные и другие;
− второй элемент – две (от 00 до 99) или три цифры (от 000 до 999), означают порядковый номер разработки
ИМС;
− третий элемент – две буквы, обозначающие подгруппу и вид ИМС.
Подгруппа дает представление о функциональном назначении и обозначается одной буквой; внутри
подгруппы идет разделение на виды. Ниже приведена справочная информация в виде перечислений
наименований подгрупп с их буквенным обозначением; в скобках даны обозначения и наименования видов:
Генераторы (Г) [ГС – гармонических сигналов; ГГ – прямоугольных; ГЛ – линейно изменяющихся; ГФ –
специальной формы; ГМ – шума; ГП – прочие]; логические элементы (Л) [ЛИ – элемент И;
ЛЛ – ИЛИ; ЛН – НЕ; ЛМ – И-ИЛИ; ЛБ – НЕ/ИЛИ-НЕ, ЛР – И-ИЛИ-НЕ; ЛК – И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ; ЛА – И-НЕ;
детекторы (Д) [ДА – амплитудные; ДИ – импульсные; ДИ – частотные; ДФ – фазовые; ДП – прочие];
коммутаторы и ключи (К) [КТ – тока; КН – напряжения, КП – прочие]; многофункциональные схемы (Х) [ХК –
комбинированные, ХП – прочие]; модуляторы (М) [МА – амплитудные; МС – частотные; МФ –фазовые; МИ –
импульсные; МП – прочие]; наборы элементов (Н) [НД – диодов; НТ – транзисторов; НР – резисторов; НЕ –
**
Пленки толщиной менее микрометра считаются тонкими, их свойства зависят от толщины.

Страницы