Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

4. Заменим последовательное соединение резисторов R1 и R2 на один резистор сопротивлением R
экв
= R1 +
R2 = 1,4 + 5,6 = 7 кОм; произведем расчет общего тока, проходящего по эквивалентному резистору R
экв
.
I = U / R = 15 / 7 ⋅ 10
3
= 2,1 ⋅ 10
–3
, A.
5. Вернемся к схеме на рис. 1.4 и рассчитаем мощность на каждом из резисторов:
P
1
= R
1
I
2
= 1,4 ⋅ 10
3
⋅ (2,1 ⋅ 10
–3
)
2
= 1,134 ⋅ 10
–3
, Вт;
P
2
= R
2
I
2
= 5,6 ⋅ 10
3
⋅ (2,1 ⋅ 10
–3
)
2
= 4,536 ⋅ 10
–3
, Вт.
Мощность, рассеиваемая на резисторе R2, больше, поэтому принимаем ее за максимальную мощность
рассеивания для всех остальных резисторов.
Таким образом, известны минимально необходимые параметры для расчета геометрических размеров
резисторов и конденсатора
(табл. 1.3 и 1.4).
1.3. Расчетные данные для резисторов
Обозна
чение
на
схеме
Номиналь
ное
значение
R
i
, кОм
Допуск на
номинал
,
i
R
γ
%
Мощность
рассеиван
ия P
i
, мВт
Максимально
е значение
рабочей
температуры
T
max
, °C
R1 1,4 10 4,536 85
R2 5,6 10 4,536 85
R3 9,8 10 4,536 85
R4 4,0 10 4,536 85
R5 0,6 10 4,536 85
R6 4,8 10 4,536 85
1.4. Расчетные данные для конденсаторов
С, пФ U, В f, кГц
tgδ
С
0
, %
T
max
, °С
1500 15 1000 0,03 25 85

Страницы