Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

2. КОНСТРУКЦИИ ИМС И
ТЕХНОЛОГИИ ИХ ПРОИЗВОДСТВА
2.1. ТИПЫ ИМС, КОНСТРУКЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ И
КОМПОНЕНТОВ
2.1.1. Интегральные микросхемы и их классификация
Интегральная микросхема (ИМС) – вполне установившийся термин, означающий конструктивно
законченное изделие микроэлектронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования и
обработки информации (сигнала), изготовленное в едином технологическом цикле, воспринимаемое
(неразделимой частью) как компонент в устройстве электронной техники.
Интегральные микросхемы чаще всего имеют ряд общих конструктивных признаков (рис. 2.1.1).
Рис. 2.1.1. Конструкция интегральной микросхемы:
1 – подложка или кристалл; 2 – корпус; 3 – крышка; 4 – внешние выводы;
5 – гибкие выводы
Основной, определяющей тип ИМС, частью является подложка или кристалл 1. В ней или на ее поверхности
формируются элементы, реализующие схемотехническую задачу. Корпус 2, крышка 3, внешние 4 и гибкие 5
выводы выполняют ряд вспомогательных задач: защиту от внешних воздействий, коммутацию входных и
выходных сигналов, удобство монтажа и т.п.
В зависимости от типа подложки и способа реализации элементов
*
различают полупроводниковые и
пленочные ИМС.
В полупроводниковых ИМС элементы выполняются непосредственно в поверхностном слое на небольшом
расстоянии друг от друга с коммутацией в виде тонкопленочных дорожек на поверхности
(рис. 2.1.2, а).
Рис. 2.1.2. Полупроводниковые элементы ИМС:
1 – подложка кремния; 2 – планарный транзистор; 3 – интегральный резистор
В полупроводниковых ИМС выполняются с хорошей воспроизводимостью выходных параметров активные
элементы (транзисторы, диоды и др.), в то же время нерационально из-за большой площади изготавливать
пассивные элементы.
Эта особенность позволяет выполнять множество различных устройств типа генераторов, пускателей,
детекторов и др. Применение таких ИМС дает существенное уменьшение веса (массы), габаритов, снижения
*
Под элементом понимается активная или пассивная единица реализованной электрической схемы, неразрывно связанная с
подложкой и выполненная в едином технологическом цикле (транзисторы, диоды и др.).
p
n+
1
n+
p
'
n+
2
n+
3
p
n+
Si-p
p
p
~ 5…10
мкм
~ 300
мкм
2 1
5
4
3

Страницы