Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 2.1.6. Структура вертикального БТ n
+
–p–n-типа:
1 – подложка Si p-типа (200…400 мкм); 2 – эпитаксиальный слой n-типа
(1…10 мкм); 3 – защитный слой SiO
2
(~ 1,0 мкм); 4 – область эмиттера n
+
-типа; 5 – область базы p-типа; 6 – область
коллектора n
+
-типа; 7 – область изоляции встречно включенными p–n-переходами; 8 – скрытый подколлекторный слой n
+
-
типа; 9 – пленочная металлическая разводка (алюминий); 10 – области
соседних транзисторов; W – активный участок – база транзистора
2.1.2. Параметры областей интегрального транзистора n–p–n-типа
№ п/п
Наименование
области
Концентрация
примеси N, см
–
3
Толщина
слоя d, мкм
Удельное
объемное
сопротивление ρ,
Ом ⋅ см
Удельное
поверхностное
сопротивление ρ
S
,
Ом/□
1 Подложка p-типа
1,5 ⋅ 10
15
20...400 10 –
2 Эпитаксиальный слой 10
15
...10
16
1...10 – –
3 Пленка оксида SiO
2
– 0,3...0,6 – –
4
Эмиттерная
область 10
21
0,5...2,0 – 2...15
5 Базовая область
5 ⋅ 10
18
1,5...2,5 – 100...300
6 Коллекторная область 10
16
2,5...10 0,15...5,0 –
7 Изолирующая область – 3,5...12 – 6...10
8 Скрытый n
+
-слой – 2.5...10 – 10...30
9 Металлическая пленка – 0,6...1,0 1,7.10
–6
0,06...0,1
На рис. 2.1.6 приведены основные топологические размеры, а в табл. 2.1.2 показаны параметры областей
транзистора.
Транзистор выполняется в эпитаксиальном слое 2 и ограничивается областями 7, 8. Границы области 7 (два
встречновключенных
p–n-перехода) обеспечивают электрическую изоляцию с соседними транзисторными структурами 10.
Подколлекторный слой 8 служит для уменьшения сопротивления на участке от границы базовой области 5 до
коллекторной области 6. Дополнительное введение примеси под коллекторным контактом в виде области 6
необходимо для уменьшения переходного сопротивления на контакте. Рабочие характеристики транзистора
зависят от величины активного участка – базы W между границами эмиттерной 4 и базовой 5 областей, которая
составляет единицы микрометров; при W ≈ 1 мкм коэффициент усиления B может достигать 6 ⋅ 10
3
.
SiO
2
1
р-Si
п-э.с.
п-э.с.

Страницы