ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ВВЕДЕНИЕ
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и
прикладных наук новой элементной базы – интегральных микросхем.
Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать
высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС),
ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств – микропроцессоров.
Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и
высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику,
далее в наноэлектронику.
Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина,
информатика, автоматизация техпроцессов и др.).
Курсовой проект по дисциплине "Проектирование микросхем и микропроцессоров" выполняется с целью
закрепления приобретенных при изучении курса знаний и получения практических навыков конструирования
интегральных микросхем (ИМС).
Осуществляется практика анализа электрических схем с целью выявления возможностей миниатюризации и
выполнения рассматриваемого узла как единого функционального узла с учетом реальных конструкторско-
технологических ограничений и требований. Приобретаются навыки в расчетах полупроводниковых активных и
пассивных элементов, пленочных пассивных элементов, выбора активных навесных компонентов, общей
компоновки узла и оформления конструкторско-технологической документации.
Курсовой проект состоит из пояснительной записки и графического материала.
Объем пояснительной записки в пределах 25 – 30 страниц с приведенным обязательным перечнем разделов:
− титульный лист;
− задание на курсовой проект;
− содержание;
− анализ задания, включающий проработку электрической схемы с необходимыми расчетами
электрических параметров входящих элементов и выбор типа проектируемой микросхемы;
− технико-экономическое обоснование выбора технологического процесса изготовления ИМС
(полупроводниковая, тонко- или толстопленочная, гибридная или микросборка), материалов подложки,
резисторов, обкладок и диэлектрика конденсаторов, проводников и контактных площадок;
− расчет геометрических размеров активных и пассивных полупроводниковых элементов, пленочных
пассивных элементов и площади платы ИМС;
− разработка топологии ИС в соответствии с выбранной технологией ее изготовления.
− разработка конструкции ИМС в целом с обоснованием выбора конструкционных материалов и защитных
покрытий;
− расчет теплового режима ИМС;
− расчет показателей надежности;
− заключение;
− список литературы;
− приложения.
Текст каждого раздела пояснительной записки должен содержать ссылку на литературный источник,
материал которого использовался в данном разделе. Методика расчета размеров пленочных элементов должна
приводиться в тексте только один раз и иллюстрироваться одним примером. Остальные результаты расчетов по
этой методике должны сводиться в таблицы.
Изложение материала в пособии соответствует последовательности выполнения работ по проектированию
вне зависимости от типа проектируемой ИМС. Особенности проектирования той или иной ИМС всегда
отмечаются.
В основу пособия положен многолетний опыт курсового проектирования ИМС на кафедрах "Конструирование
радиоэлектронных средств и микропроцессорных систем" и "Материалы и технология" Тамбовского
государственного технического университета.
Авторы выражают благодарность коллективам кафедр, в особенности А.П. Королеву, С.Н. Баршутину за
полезные советы и помощь при написании и подготовке данного пособия.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
