Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 4 стр.

UptoLike

ВВЕДЕНИЕ
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и
прикладных наук новой элементной базыинтегральных микросхем.
Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать
высокоинтегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС),
ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройствмикропроцессоров.
Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и
высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику,
далее в наноэлектронику.
Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина,
информатика, автоматизация техпроцессов и др.).
Курсовой проект по дисциплине "Проектирование микросхем и микропроцессоров" выполняется с целью
закрепления приобретенных при изучении курса знаний и получения практических навыков конструирования
интегральных микросхем (ИМС).
Осуществляется практика анализа электрических схем с целью выявления возможностей миниатюризации и
выполнения рассматриваемого узла как единого функционального узла с учетом реальных конструкторско-
технологических ограничений и требований. Приобретаются навыки в расчетах полупроводниковых активных и
пассивных элементов, пленочных пассивных элементов, выбора активных навесных компонентов, общей
компоновки узла и оформления конструкторско-технологической документации.
Курсовой проект состоит из пояснительной записки и графического материала.
Объем пояснительной записки в пределах 25 – 30 страниц с приведенным обязательным перечнем разделов:
титульный лист;
задание на курсовой проект;
содержание;
анализ задания, включающий проработку электрической схемы с необходимыми расчетами
электрических параметров входящих элементов и выбор типа проектируемой микросхемы;
технико-экономическое обоснование выбора технологического процесса изготовления ИМС
(полупроводниковая, тонко- или толстопленочная, гибридная или микросборка), материалов подложки,
резисторов, обкладок и диэлектрика конденсаторов, проводников и контактных площадок;
расчет геометрических размеров активных и пассивных полупроводниковых элементов, пленочных
пассивных элементов и площади платы ИМС;
разработка топологии ИС в соответствии с выбранной технологией ее изготовления.
разработка конструкции ИМС в целом с обоснованием выбора конструкционных материалов и защитных
покрытий;
расчет теплового режима ИМС;
расчет показателей надежности;
заключение;
список литературы;
приложения.
Текст каждого раздела пояснительной записки должен содержать ссылку на литературный источник,
материал которого использовался в данном разделе. Методика расчета размеров пленочных элементов должна
приводиться в тексте только один раз и иллюстрироваться одним примером. Остальные результаты расчетов по
этой методике должны сводиться в таблицы.
Изложение материала в пособии соответствует последовательности выполнения работ по проектированию
вне зависимости от типа проектируемой ИМС. Особенности проектирования той или иной ИМС всегда
отмечаются.
В основу пособия положен многолетний опыт курсового проектирования ИМС на кафедрах "Конструирование
радиоэлектронных средств и микропроцессорных систем" и "Материалы и технология" Тамбовского
государственного технического университета.
Авторы выражают благодарность коллективам кафедр, в особенности А.П. Королеву, С.Н. Баршутину за
полезные советы и помощь при написании и подготовке данного пособия.