Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 43 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

3.2.1. Основные параметры МДП-структур и транзисторов
Электрофизическими параметрами материала (кремний) подложки, влияющими на характеристики полевых
структур, являются:
− тип электропроводности (p- или n-проводимость);
− концентрация примеси в пластине N
0
, см
–3
или удельное объемное сопротивление ρ
V
, Ом ⋅ см;
− подвижность носителей заряда в канале µ
n
или µ
p
, см
2
/(B ⋅ c);
− концентрация поверхностных состояний N
пов
, см
–2
;
− диэлектрическая проницаемость ε
п
.
Основными конструктивными параметрами МДП-транзистора, разрез структуры которого приведен на рис.
3.2.1, являются: длина канала l
к
,
мкм; ширина канала b
к
, мкм; толщина затворного диэлектрика h
д
, мкм.
Остальные конструктивные параметры, к которым относятся размеры областей стока–истока, ширина и
длина затвора, толщина диэлектрика за пределами затвора и др., являются вспомогательными и определяются
при проектировании по конструктивно-технологическим ограничениям (табл. 5.1.2).
Основными электрическими параметрами и характеристиками МПД-транзисторов обычно считаются:
стоковая характеристика I
с
= = f(U
с
) при U
з
= const; стоково-затворная характеристика I
с
= f(U
з
) при U
с
= const;
пороговое напряжение U
0
, B; крутизна S, А/В, и удельная крутизна S
0
, А/В
2
; дифференциальное сопротивление
канала R
к
, Ом; входное сопротивление R
вх
, МОм; паразитные межэлектродные емкости С
зп
, С
зи
, С
зс
, С
си
, С
ип
, пФ;
постоянная времени канала τ
к
, нс.
Анализ основных параметров U
0
, S, S
0
,
R
к
проводится обычно исходя из предполагаемого соотношения
между основными макро-характеристиками (закон Ома) по стоковым и стоково-затворным характеристикам
МДП-транзистора (рис. 3.2.2) без учета токов утечки при схеме включения с общим истоком (наиболее часто
употребляется в цифровых ИМС).

Страницы