Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Напряжение пробоя необходимо просчитывать и в связи с еще одним возможным механизмом пробоя,
связанным с увеличением α из-за лавинного умножения носителей в коллекторном переходе при определенных
условиях (включение по схеме с общим эмиттером, α = 1, т.е. В = ∞ ). Пробой будет происходить при
,1/
кпр.
n
B
BUU +=
(3.1.15)
где U
пр. к
– напряжение пробоя коллекторного перехода; n = 5 для базовой n-области, n = 3 для p-области.
Частотные характеристики интегрального транзистора отличаются от частотных характеристик
дискретного тем, что изменяется вклад структурных областей в каждую из анализируемых характеристик [4, c.
133–134].
Для приближенных оценок барьерных емкостей переходов (также быстродействия) можно использовать
табл. 3.1.2.
Эмиттерная область существенно влияет на процессы в базовой области. Модуляция проводимости базовой
области транзистора дает изменение коэффициента передачи и сопротивления самой базовой области. Степень
модуляции проводимости зависит от уровня инжекции, определяемой
,)/(
00 =
′
=δ
xрр
pn
(3.1.16)
где n
р
и р
р0
(рис. 3.1.2) – концентрация неосновных и равновесная концентрация основных носителей на границе
обедненного эмиттерного перехода в базовой области.
3.1.2. Электрические параметры p–n-переходов
Удельное сопротивление области коллектора, Ом/□
0,1 0,5 1,2
№ п/п Переход
С
0
, пФ/мм
2
U
пр
,
В
С
0
, пФ/мм
2
U
пр
,
В
С
0
, пФ/мм
2
U
пр
,
В
1 Эмиттер–база:
боковая часть
донная часть
1000
600
7
7
1000
450
7
7
1000
350
7
7
2 База–коллектор 350 25 200 50 150 70
3 Коллектор–подложка:
боковая часть
донная часть
250
100
35
35
150
100
70
70
100
100
100
100
Коэффициент усиления тока
В = α / (1 – α) (3.1.17)
будет достигать максимального значения при
δ ≈ 1. (3.1.18)
С увеличением уровня инжекции (δ >> 1) происходит уменьшение В. Если условие (3.1.18) выполняется при
максимальном эмиттерном токе I
э
, то обеспечивается работа схемы при максимальной величине коэффициента
усиления В.
3.2. РАСЧЕТ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Общими вопросами при проектировании полевых транзисторов различных типов являются анализ, выбор и
расчеты электрофизических параметров исходной полупроводниковой подложки, конструктивных и
электрических параметров МДП-транзисторов.

Страницы