Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

R = ρ
S
(l
Σ
/ b + 2k + 0,55N
изг
), (4.1.13)
где l
Σ
– суммарная длина прямолинейных участков;
– при проектировании пинч-резистора для топологии как на
рис. 2.1.11, ж
]2/)[(/
312
kbllblR
SS
++
ρ
+
ρ
′
=
, (4.1.14)
где
−ρ
′
S
поверхностное сопротивление базового слоя, ограниченного эмиттерным слоем; ρ
S
– поверхностное
сопротивление базового слоя.
4.1.2. Расчет пленочных резисторов
Расчет пленочных резисторов отличается от расчета полупроводниковых.
Особенностью расчета пленочных резисторов является групповое проектирование, что связано с
необходимостью выбора материала резисторов. По возможности он должен быть единым для резисторов всей
ИМС. Поэтому для пленочных ИМС при проектировании резисторов необходимо провести анализ номиналов
резисторов, свести их в несколько групп с близкими значениями сопротивления, а затем уже выбрать для каждой
группы материал.
Дальнейшая последовательность расчетов может быть определена в зависимости от конструкции
приведенными ниже этапами.
1. Определяется оптимальное значение удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки с точки
зрения обеспечения минимума площади под резисторами гибридной или пленочной ИМС по формуле
,
1
1
1
опт
i
n
i
n
S
R
R
∑
∑
=ρ
(4.1.15)
где n – число резисторов; R
i
– номинал i-го резистора.
2. Выбирается материал резистивной пленки с удельным сопротивлением, ближайшим по значению к
вычисленному ρ
S опт
. Используемые материалы регламентируются соответствующими ГОСТами, ОСТами.
Электрофизические характеристики наиболее часто употребляющихся материалов сведены в табл. 4.1.1. Следует
обращать внимание на то, чтобы температурный коэффициент сопротивления (ТКR) был минимальным, а
допустимая удельная мощность рассеивания P
0
была максимальной.
4.1.1. Электрофизические характеристики материалов пленочных резисторов
Материал резисторов (контактная
площадь)
Удельная поверхность
сопротивления ρ
s опт
, Ом/
Диапазон номинальных
значений, Ом
Допустимая мощность
рассеяния Р
0
, Вт/см
2
Температурный
коэффициент
сопротивления ТКR, α⋅10
–4
,
1/°С
Стабилизация за 1000 ч, %
Хром ЭРХ 4
ТУ 530–70 200 – 1,0 2,0 2,0
Хром ГОСТ 5905–67 (медь
луженая) 500 50…30 000 1,0 0,6 –
Нихром Х20Н80
ГОСТ12766–72 (медь)
300 50…30 000 2,0 1,0 1,2

Страницы