Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 76 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Сплошные линии на графике для толстых экранов (десятые доли миллиметра), штриховые – 0,5 мкм на
изолированной подложке из алюминия; L
э
– индуктивность катушки с экраном; L
0
– индуктивность катушки без
экрана; l – расстояние до экрана.
При l / D
2
> 0,5 влиянием экранов можно пренебречь. При более близком расположении металлических
элементов расчетное значение индуктивности следует увеличить.
4.5. МЕЖСОЕДИНЕНИЯ, КОНТАКТНЫЕ ПЛОЩАДКИ
Металлическая разводка, контактные площадки, контакты к интегральным элементам играют существенную
роль в обеспечении надежности, долговечности и других параметров качества. Больше половины отказов
микроэлектронной аппаратуры связано именно с этими звеньями.
4.5.1. Конструирование пленочных контактов
Основные типовые контактные системы пленка-пленка приведены на рис. 4.5.1.
Конструкция контакта, показанного на рис. 4.5.1, б, наиболее благоприятна, поскольку чаще резистивный
слой 2 и контактный слой 1 выполняются в одном вакуумном цикле и имеют меньшее переходное
сопротивление.
Рис. 4.5.1. Типовые системы пленочных контактов:
а – метод свободной маски; б – метод литографии;
1 – проводящий слой; 2 – резистивный слой
Контакт, формируемый с использования свободной маски (рис. 4.5.1, а), выполняется чаще в различных
вакуумных циклах (имеет место разгерметизация между напылением резистора и металлического контакта) и
характеризуется большим переходным сопротивлением от резистивного слоя 2 к проводящему слою 1 по всей
площади перекрытия и величиной перекрытия l. Просчитывается минимальная величина перекрытия для
создания минимального сопротивления на переходе.
Полное переходное сопротивление контактного соединения R
пер
оценивается как
R
пер
= U
0
/ I
0
, (4.5.1)
где U
0
и I
0
– напряжение и ток на переходе соответственно.
Полное переходное сопротивление может рассчитываться с использованием выражения
,
th
1
к
пов
кпов
пер
ρ
ρ
ρρ
=
S
S
l
b
R
(4.5.2)
где R
пер
– полное переходное сопротивление; ρ
S пов
– поверхностное сопротивление резистивного материала; ρ
к
–
удельное переходное сопротивление; l – длина перекрытия; th – знак гиперболического тангенса.
Второй множитель в этой формуле превращается в единицу при
,5,2
к
пов
>
ρ
ρ
S
l (4.5.3)
а)

Страницы