Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 77 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

а соответственно, при этом сопротивление контакта будет достигать минимального значения и дальнейшее
увеличение длины перекрытия не приведет к его уменьшению
Минимальное сопротивление R
к min
пленочных систем в этом случае можно определять по формуле
b
R
S кпов
minк
ρρ
=
. (4.5.4)
Обычно величина ρ
к
= 0,05...0,25 Ом⋅мм
2
при получении контактной системы в едином вакуумном цикле и ρ
к
= 2,5...5,0 Ом⋅мм
2
при создании контактов с разгерметизацией установки напыления пленок.
При известных ρ
S
и ρ
S пов
величину перекрытия l можно выбирать из соотношения
кпов
5,1 ρρ=
S
l . (4.5.5)
Если R
пер
оказывается чрезмерно большим, то увеличивают ширину контакта b до значений b
′
.
При расчете можно ориентироваться на данные, приведенные в табл. 4.5.1 для нескольких контактных пар.
4.5.1. Переходное сопротивление в контактных парах
Контактная пара Cr–Al Au–Cr Au–Ta
ρ
к
, мОм/мм
2
0,48…8,0 0,03…3,0 20…500
Максимально допустимая величина контактного сопротивления рассчитывается по формуле
R
к доп
= ρ
Rк
R
i
/ 2 (4.5.6)
и проверяется выполнение условия
R
к min
< R
к доп
. (4.5.7)
Если условие не выполняется, то следует увеличить ширину резистора до величины b′
(рис. 4.5.1, а),
принимая равенство R
к доп
= R
к min
и вычисляя далее b′ из выражения (4.5.4).
Минимальная длина переходного контакта определяется из выражения
повкmin
/5,1
S
l ρρ≥ ; (4.5.8)
полная длина контактного перехода с учетом ошибок совмещения в случае применения свободной маски
соответствует
l
к
≥ l
к min
+ ∆l + η ; (4.5.9)
с ≥ b + 2 (∆b + η), (4.5.10)
где l = ∆b = 0,05 мм – погрешность изготовления маски; η = 0,2 мм – погрешность совмещения.
4.5.2. Конструктивный расчет межэлементных соединений
Материал проводникового слоя или нескольких слоев следует выбирать, исходя из:
1) удельного поверхностного сопротивления ρ
S
(табл. 4.5.2) [3];
2) совместимости резистивного материала и материала проводящего слоя;
3) метода присоединения выводов навесных компонентов и внешних выводов.

Страницы