Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 86 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

5.1.3. Топология и электрическая схема последовательного (а) и
параллельного (б) соединения МДП-транзисторов
Рис. 5.1.4. Конструкция (а) и электрическая схема (б) нагрузочного
p-канального МДП-транзистора
Рис. 5.1.5. Электрическая схема диодной защиты (а) и
конструкция охранных диодов (б)
ных к входной шине охранных диодов Д
1
и Д
2
. Статический заряд одного или другого знака стекает либо по
одному, либо по другому диоду. Однако такая защита уменьшает входное сопротивление, появляется входной
ток утечки в пределах 0,5…1,0 мкА. Правильное проектирование охранных диодов практически не приводит к
ухудшению динамических параметров схемы.
Приведенная защитная схема не допускает подачу на вход напряжения U
вх
>U
и. п
, что может привести к
протеканию через входную цепь больших токов и разрушению диодов. По этой причине при включении
аппаратуры на КМДП-ИМС с защищенными входными цепями напряжение питания следует подавать раньше
входного сигнала, а выключение аппаратуры – снимать позже.
Особенностью конструкции (топология на рис. 5.1.5, б) охранных диодов Д
2
и Д
1
является то, что
электрический контакт к n-области диода Д
1
и p-области диода осуществляется через подложку.
Топология кристалла МДП-ИМС. Общая последовательность разработки топологии включает:
− размещение контактных площадок (КП) по периметру кристалла с нумерацией против часовой стрелки от
нижнего правого угла;
− отведение места на периферии кристалла для размещения фигур совмещения и тестовых элементов МДП-
транзисторов;
− выделение контактных площадок для подведения цепей питания (U
и. п
и контакт "общий"), которые будут
оставаться общими для всей серии проектируемых ИМС;
− при наличии однотипных схем на кристалле предусматривается проектирование только одной с
последующим размножением;
− эскиз топологии начинают с первой контактной площадки при последовательном переходе от одного
элемента к другому и с учетом технологических ограничений (табл. 5.1.2);
− в МДП-ИМС с алюминиевыми затворами в качестве разводки следует использовать диффузионные
проводники и проводники металлизации;
− в МДП-ИМС с кремниевыми затворами используют три типа разводки – диффузионные проводники и
проводники из поликремния для соединения областей затворов и проводники металлизации.

Страницы