Проектирование интегральных микросхем. Шелохвостов В.П - 87 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Конструктивные и электрические параметры элементов МДП-ИМС. Порядок расчета обычных и
комплементарных МДП-ИМС имеет свои особенности, специфику и схемотехническую реализацию, достаточно
подробно приведен в [4, с. 83–85].
Топология тонкопленочных гибридных ИМС. К разработке топологии приступают после расчета
площади, занимаемой на подложке элементами и компонентами. Расчет резисторов приведен в разд. 4.1,
конденсаторов – 4.2, элементов с распределенными параметрами – 4.3, катушек индуктивности – 4.4. Выбор
навесных активных (транзисторов и диодов) и пассивных (конденсаторов) компонентов проводится в
соответствии с разд. 2.1. Кроме того, должна быть выбрана технология выполнения ИМС и определены способы,
которыми будут выполняться элементы.
Последующая разработка осуществляется с учетом конструктивно-технологических ограничений,
приведенных в табл. 5.1.3 с учетом способа изготовления элементов. Здесь показаны ограничения для различных
способов изготовления пленочных элементов. В числителе и знаменателе графы М/Ф показаны ограничения
соответственно для масочного (М) и фотолитографического (Ф) методов; в графе МФ/ЭИ в числителе-
знаменателе приведены данные для комбинированного масочно-фотолитографического и электронно-ионного
метода; графа ТА – данные по танталовой технологии.
Кроме конструктивно-технологических ограничений (табл. 5.1.3), необходимо выполнять общие правила и
ограничения, которые приведены ниже:
1. Каждая плата микросхемы должна иметь ключ, которым является нижняя левая контактная площадка с
вырезом по большой стороне платы или специальный знак в форме треугольника, прямоугольника.
2. В одной микросхеме следует применять навесные компоненты с одинаковым диаметром или материалом
гибких выводов; однотипные по расположению выводов компоненты следует по возможности ориентировать
одинаково.
3. Навесные компоненты рекомендуется располагать рядами, параллельными сторонам платы; допускается
установка навесных активных компонентов с гибкими выводами вплотную, если контакт между ними не влияет
на работоспособность схемы;
5.1.3. Конструктивно-технологические ограничения
при проектировании тонкопленочных интегральных микросхем
№
п/п
Наименование ограничения Топологический эскиз
М
Ф
МФ
ЭИ
ТА
1.
Точность изготовления линейных размеров
пленочных элементов и расстояний между ними ∆l,
∆b, ∆L, ∆B и других при расположении пленочных
элементов в одном слое
±0,01
±0,01
±0,01
±0,01
±0,01
b 0,1 0,1/0,15 0,05 2.
Минимально допустимый размер
резистора, мм
l
b
0,3
0,1
0,3
0,3 0,1
3. Минимально допустимые расстояния между
пленочными элементами, расположенными в одном
слое, a, мм
0,3
0,1
0,3
0,1
0,05
1. Максимально допустимое соотношение размеров l/b 10
100
30
100 100
2. Максимально допустимое расстояние между
пленочными элементами, расположенными в разных
слоях, с, мм
0,2
0,1
0,2
0,1 0,1
3. Перекрытия для совмещения пленочных элементов,
расположенные в разных слоях, e, мм
≥0,2
____
≥0,1
≥0,2
____
≥0,1
≥0,1
4. Минимальное расстояние от пленочных элементов
до края платы d, мм
0,5
0,2
0,5
0,4
0,2
5.
Минимальная ширина пленочных проводников l, мм
0,1
0,05
0,1
0,1 0,05
6.
Минимально допустимое расстояние между краем
пленочного резистора и краем его контактной
площадки j, мм
0,2
0,1
0,2
0,1 0,1

Страницы