Составители:
Рубрика:
u
n
= σ R
x
/A (46)
Формулы (37) и (39) справедливы в случае магнитных полей не очень
высокой напряженности. В сильных полях носители не просто
отклоняются от направления своего движения, но и “закручиваются”
вокруг линий магнитного поля. Критерием применимости формул (37) и
(39) является требование:
B << 2π/u (47)
где u – подвижность носителей.
4.5. Контактные явления в металлах и полупроводниках.
Работа выхода. Положительные ионы, образующие решетку кристалла,
создают внутри кристалла электрическое поле с положительным
потенциалом V
0
. Поэтому электроны в кристалле находятся в
потенциальной яме глубины U
0
= - eV
0
, выход из которой требует затраты
работы. Для металлов эта работа равна высоте потенциального барьера,
отсчитанной от дна зоны проводимости, и называется внешней работой
выхода χ или электронным сродством (Рисунок 26), причем χ = - U
0
.
Выйти из кристалла могут лишь те электроны, которые обладают
энергией, достаточной для преодоления барьера χ. При абсолютном нуле
температуры (Т = 0) наибольшую энергию имеют электроны,
расположенные на уровне Ферми. Высоту барьера, отсчитанную от
уровня Ферми, ε
F
= µ, называют термодинамической работой выхода χ
0
,
χ
0
= χ − µ (48)
Величина ϕ = χ
0
/e называется потенциалом выхода электронов.
Большое влияние на работу выхода оказывают мономолекулярные
адсорбционные слои. Например, при покрытии вольфрама слоем цезия
возникает двойной электрический слой, внешняя сторона которого
заряжена положительно, поскольку атомы цезия отдают вольфраму свои
валентные электроны и превращаются в положительно заряженные ионы.
Поле двойного слоя помогает выходу электронов из вольфрама
, поэтому в
присутствии слоя цезия работа выхода электронов из вольфрама
уменьшается с 4,52 до 1,36 эВ.
При Т>0 часть электронов приобретает кинетическую энергию,
превышающую высоту потенциального барьера. Такие электроны
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 53
- 54
- 55
- 56
- 57
- …
- следующая ›
- последняя »
