Составители:
Рубрика:
Если приложить к контакту внешнюю разность потенциалов V в
направлении, совпадающим с контактной разностью потенциалов V
k
,
(такое направление называется обратным), то высота потенциального
барьера возрастет, а толщина запирающего слоя увеличится:
_________________
d
обр
= √2εε
0
(V + V
k
)/(e
2
N
d
) (59)
В результате сопротивление слоя увеличится, а плотность потока
электронов из полупроводника в металл уменьшится в e
e|V|/kT
раз. Полный
ток, текущий в обратном направлении, таким образом равен:
i
обр
= i
s
(1 – e
–e|V|/kT
) ~ i
s
(60)
Если внешняя разность потенциалов приложена в прямом направлении,
толщина слоя объемного заряда уменьшится:
________________
d
пр
= √2εε
0
(V
k
– V)/(e
2
N
d
) (61)
В результате понижения потенциального барьера плотность потока
электронов, текущих из полупроводника в металл, увеличится. Поэтому в
прямом направлении (из металла в полупроводник) протечет ток
плотностью:
i
пр
= i
s
(e
eV/kT
– 1) >> i
s
(62)
Формула (62) представляет собой уравнение вольт- -амперной
характеристики (ВАХ) выпрямляющего контакта полупроводника с
металлом, представленной на рисунке 30. Отношение силы тока, текущего
в прямом направлении, к силе тока, текущего в обратном направлении,
отвечающее одной и той же разности потенциалов, называется
коэффициентом выпрямления,
κ = e
eV/kT
– 1 (63)
Для хороших выпрямляющих контактов он достигает десятков и сотен
тысяч. Диоды, работающие на основе выпрямляющего контакта
полупроводника с металлом, называются диодами Шоттки.
Если работа выхода у полупроводника больше, чем у металла (χ
0П
>χ
0M
), то электроны переходят из металла в полупроводник и образуют в
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 58
- 59
- 60
- 61
- 62
- …
- следующая ›
- последняя »
