Составители:
Рубрика:
его контактном слое отрицательный объемный заряд. Такой слой
называется обогащенным.
4.7. Контакт электронного и дырочного полупроводников. p – n
переходы.
Важнейшим классом твердотельных электронных приборов являются
полупроводниковые диоды, предназначенные не только для выпрямления
электрических сигналов, но также для преобразования электрической
энергии в излучение, излучения в электрическую энергию и многих
других функций. Подавляющее большинство
диодов используют
контакт
двух дырочных полупроводников с различным типом проводимости.
Такой контакт называют электронно-дырочным переходом или p n -
переходом.
Практически p – n -переход осуществляется на одном и том же
монокристалле посредством диффузии акцепторной примеси в
полупроводник n – типа или донорной примеси в полупроводник р –
типа, а также эпитаксильным методом, т.е. осаждением на полупроводник
одного типа полупроводниковой пленки другого типа.
В р – области основными
носителями являются дырки, образовавшиеся
в результате захвата электронов атомами примеси. Кроме того, в р –
области имеется небольшое количество неосновных носителей
(электронов), возникающих посредством перевода части электронов из
валентной зоны в зону проводимости, обусловленного тепловыми
колебаниями кристаллической решетки. В n – области основными
носителями тока являются электроны, а неосновными носителями –
дырки. Концентрация основных
носителей практически равна
концентрации примесных атомов, n
0
~ N
d
, p
0
~ N
a
. Концентрация
неосновных носителей, n
н
и р
н,
можно определить, пользуясь законом
действующих масс:
n
0
p
н
= p
0
n
н
= n
i
2
(64)
где n
i
- концентрация носителей в собственном полупроводнике. Так, в
германиевом полупроводнике n – типа при n
0
= 10
22
м
–3
и n
i
= 10
19
м
–3
получаем: р
н
= 10
16
м
–3
, т.е. на шесть порядков ниже, чем основных
носителей. В р – области количество основных и неосновных носителей
также может различаться примерно на шесть порядков. Такое различие в
концентрации однотипных носителей в контактирующих областях
приводит к возникновению диффузионных потоков электронов из n –
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 59
- 60
- 61
- 62
- 63
- …
- следующая ›
- последняя »
