Составители:
Рубрика:
направлении к силе тока, текущего в обратном направлении при той же
разности потенциалов, называется коэффициентом выпрямления.
При определенном, предельном значении обратного напряжения, V =
V
проб
, наблюдается пробой перехода, т.е. резкое увеличение обратного
тока.
Тепловой пробой обусловлен повышением температуры диода при
протекании тока. Увеличение температуры вызывает генерацию
неосновных носителей, что в свою очередь приводит к росту обратного
тока и дальнейшему увеличению температуры.
Лавинный пробой
обусловлен ударной ионизацией полупроводника неосновными
носителями, которые могут приобретать очень большую кинетическую
энергию в поле перехода, достаточную для генерации новой электронно-
дырочной пары. Образовавшиеся носители также производят ионизацию,
т.е. происходит лавинообразное образование носителей. Этот эффект
используется для стабилизации напряжения.
Туннельный пробой
возникает в том случае, когда при достаточно высоком обратном
напряжении заполненные уровни валентной зоны р – области
располагаются против незаполненных уровней зоны проводимости в n –
области, в результате чего возможно туннелирование электронов из р –
области в n – область.
Значение V
проб
уменьшается с ростом концентрации примеси. Для Ge
Ε
проб
~ 3 10
7
В/м, для Si : E
проб
= 10
8
В/м.
4.8. Полупроводниковые триоды (транзисторы). Тиристоры.
Важным элементом полупроводниковой электроники является
полупроводниковый триод или транзистор - твердотельный прибор,
предназначенный для усиления электрических сигналов, преобразования
энергии источника питания в энергию электромагнитных колебаний и
выполнения многих других важных функций.
В основе работы полупроводниковых триодов лежит инжекция
носителей тока. Биполярный транзистор состоит из
двух близко
расположенных друг к другу р–n –переходов. В зависимости от
чередования переходов существуют транзисторы p-n-p и n–p–n типов.
Центральная часть транзистора называется базой (Б), а прилегающие к
базе области с противоположным базе типом проводимости образуют
эмиттер (Э) и коллектор (К) (Рис. 34). На рисунке 34 представлена
принципиальная схема n – p – n и кривые потенциальной энергии
для
электронов (n) и дырок (р) в отсутствие внешнего напряжения. При
включении прибора в цепь на эмиттерный переход подается внешнее
напряжение в прямом направлении, а на коллекторный – в обратном
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 62
- 63
- 64
- 65
- 66
- …
- следующая ›
- последняя »
