Физика твердого тела: Письменные лекции. Шерстюк А.И. - 66 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

Согласно проведенному рассмотрению, α < ~ 1, т.е. при работе
транзистора в схеме с общей базой усиления по току не происходит.
В то же время, даже небольшое переменное напряжение в эмиттерной
цепи существенно изменяет ток, в exp[eV
вх
/ kT] раз. Этот ток, пройдя
через сопротивление нагрузки R
н
, если оно выбрано достаточно большим,
вызывает появление на нем напряжения, гораздо большего V
вх
.
U
н
= R
н
J
к
= R
н
J
э .
(75)
Таким образом, с помощью транзистора можно получить
значительное
усиление (в несколько тысяч раз) напряжения
U
н
= R
н
J
о
e
eU /kT
(76)
Соответственно увеличивается и мощность, снимаемая с нагрузки, W =
J
к
.U
н
. Таким образом с помощью транзистора удается получить
значительное усиление (в несколько тысяч раз) напряжения и мощности
за счет энергии источника тока V
k
,которая должна быть достаточно
велика, чтобы поддерживать коллекторный переход под обратным
смещением при протекании через него достаточно сильных токов.
Для р- n – p транзистора аналогичным образом описывается движение
дырок.
Большое место в схемах автоматики и вычислительной техники
занимают приборы с двумя устойчивыми состояниями – с более высоким
и менее высоким сопротивлением. К ним
относятся прежде всего
многослойные полупроводниковые структуры динисторы и тиристоры.
Прибор имеет три p-n – перехода (рисунок 36). Крайние переходы
называются эмиттерными, а центральный – коллекторным. Средние
области, n
1
и р
2
, называемые базовыми, сравнительно слабо легированы.
Крайние (эмиттерные) области имеют более высокую концентрацию
примесей. При включении прибора в цепь плюс источника напряжения
подсоединяют к крайней р
1
– области, а минус – к области n
2
. При этом
переходы p
1
– n
1
и p
2
– n
2
оказываются подключенными в прямом
направлении, а центральный переход n
1
-p
2
– в обратном. Вольт-амперная
характеристика этого перехода в случае неуправляемого тиристора
(динистора) представлена на рисунке 37.
Так как сопротивление обратно-смещенного коллекторного перехода
велико, то практически все приложенное к прибору напряжение падает на
этом переходе, а прямое смещение на эмиттерных переходах невелико. В

Страницы