Физика твердого тела: Письменные лекции. Шерстюк А.И. - 68 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

близкой к равновесной, а затем и меньше равновесной. В результате
переход окажется под прямым смещением, а в областях n
1
и р
2
начнут
накапливаться неосновные носители, что приведет к уменьшению
коэффициентов эмиссии γ
1
и γ
2
. Сумма (β
1
γ
1
+ β
2
γ
2
) теперь опять меньше
единицы и тиристор переходит во
включенное состояние (рис. 37, кривая
2), в котором сопротивление прибора мало, а ток через прибор велик и
определяется напряжением источника смещения и сопротивлением
нагрузки.
Если ток, протекающий через включенный динистор, уменьшать, то
будет уменьшаться и количество неосновных носителей, инжектируемых
через эмиттеры, сопротивление коллекторного перехода возрастет и он
вновь окажется под обратным смещением. Следовательно,
прибор
перейдет в исходное выключенное состояние.
Напряжением включения тиристора можно управлять с помощью
дополнительного, третьего вывода – управляющего электрода (клемма
упр. на рис.37). Смещение на управляющий электрод подают в такой
полярности, чтобы увеличить ток инжекции ближайшего эмиттерного
перехода и, следовательно, увеличить ток тиристора в целом. Ток через
закрытый тиристор можно увеличить
и заставить прибор включиться,
освещая базовые области тиристора. Такой прибор называется
фототиристором.
4.9. Гетеропереходы в полупроводниках.
В предыдущих разделах были рассмотрены p-n переходы в виде
внутренних границ между двумя областями в одном и том же
полупроводниковом кристалле, одна из областей которого легирована
донорными, а другая – акцепторными примесями. Такого рода переходы
можно отнести к классу
гомопереходов в отличие от гетеропереходов,
образуемых посредством контакта двух разных по химическому составу
полупроводников.
В настоящее время гетеропереходы приобретают все возрастающее
значение в технике в связи с тем, что полупроводниковые приборы на их
основе обладают значительно более высокими параметрами, чем p-n –
переходы в гомогенных по составу полупроводниках.
Комбинация нескольких гетеропереходов в одной
монокристаллической структуре, обычно составляющей
часть
полупроводникового прибора, называется
гетероструктурой. Сейчас
трудно представить современную физику твердого тела без
полупроводниковых гетероструктур. Согласно оценке академика Ж.И.

Страницы