Составители:
Рубрика:
было невозможно при использовании инжекционных лазеров на обычных
р-n – переходах, для которых КПД не превышало 1 – 2 %. При J > J
пор
все
излучение сосредоточено в области среднего слоя, распространяясь
перпендикулярно отражающим граням. Кроме того, при J > J
пор
вследствие роста вероятности вынужденных оптических переходов
увеличивается отношение вероятностей излучательной рекомбинации к
безызлучательной. Спектральный состав генерируемого излучения
определяется шириной запрещенной зоны узкозонного полупроводника.
В большинстве случаев ДГС – лазеры создаются на основе сплавов Al
x
Ga
1-x
As, причем энергия когерентного излучения определяется составом
вещества (значением х) в среднем слое и может быть задана в диапазоне
длин волн 690 – 900 нм. Долговечность работы ДГС – лазеров в
непрерывном режиме при комнатной температуре составляет в настоящее
время 10 тыс. часов. Впервые в мире такой лазер был создан в 1970 году и
в настоящее время
получил широкое распространение, в частности, в
волоконно-оптической связи, позволяющей передавать сотни тысяч
телефонных разговоров по одному кабелю. Лазер с ДГС часто
используется и в других целях. В частности, он широко применяется в
лазерных принтерах и проигрывателях компакт-дисков в качестве
«иголки», которая списывает информацию с диска.
Полупроводниковые гетероструктуры составляют
основу элементной
базы всех современных информационных технологий. В последнее время
основное внимание уделяется использованию глубоких
квантовомеханических закономерностей при создании гетероструктур
нового поколения – структур с квантовыми ямами, сверхрешетками,
квантовыми проволоками и квантовыми точками. Развитие методов
получения гетеропереходов, исследование их физических свойств и
создание на этой основе современных полупроводниковых приборов в
значительной степени
обязано трудам академика Ж.И. Алферова и его
сотрудников, проводящимся в Физико-техническом институте.
6. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
6.1. Классификация твердых тел по их магнитным свойствам.
Использование магнитных явлений в твердых телах получило широкое
распространение в различных областях электроники: при создании
элементов магнитной памяти и запоминающих устройств для
компьютеров, парамагнитных усилителей, криогенных магнитных
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 84
- 85
- 86
- 87
- 88
- …
- следующая ›
- последняя »
