Составители:
35
2.2. Расчет площади теплоотвода и числа параллельно
включаемых транзисторов
Площадь поверхности теплоотвода Q
т
, необходимую для отвода вы-
деляющегося в транзисторе тепла, нахо-
дят по величине Р
кmax
с учетом темпера-
туры окружающей среды и допустимой
температуры перехода. Для расчета пло-
щади теплоотвода применяется тепловая
эквивалентная схема транзистора, пока-
занная на рис. 2.1, которая содержит теп-
ловые сопротивления:
ттт
кс кт тс
,,RRR
–
тепловые сопротивления переход–кор-
пус, корпус–среда, корпус–теплоотвод и теплоотвод–среда, характери-
зующие условия отвода тепла от транзистора.
Результирующее тепловое сопротивление переход–среда для тран-
зистора с теплоотводом определяется по формуле
()
ттттт
пс пк кс кт тс
|| ,
RRRRR
=+ +
где символ || означает параллельное соединение элементов.
Допустимая мощность рассеяния Р
кmax
в сильной степени зависит от
температуры окружающей среды и условий охлаждения транзистора.
Можно показать, что
()
п.доп с.в п.доп с.в
к.доп
т
тттт
пс
пк кс кт тс
,
||
ТТ ТТ
Р
R
RRRR
−−
==
++
(2.7)
где
п.доп
Т
– допустимая температура перехода транзистора;
с.в
Т
– наи-
большая (верхняя) температура окружающей среды;
Из соотношения (2.7) легко определить требующееся значение теп-
лового сопротивления
т
тс.доп
R
для рассматриваемого типа транзистора
()
ттт
тт
кт пк кт
з п.доп с.в к max пк кт
тт
кс кс
т
тс.доп
т
з п.доп с.в
пк
кmax
тт
кс кс
1
.
1
RRR
K ТТ РRR
RR
R
K ТТ
R
Р
RR
−+− ++
≤
−
+−
(2.8)
T
п
T
∆
T
к
T
т
T
с
т
пк
R
т
кт
R
т
кс
R
т
тс
R
Рис. 2.1
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
