Составители:
37
На рис. 2.3 показана зависимость площади плоского теплоотвода от
мощности, рассеиваемой транзистором. Графики построены для следу-
ющих исходных данных: K
т
= 0,0015 Вт/см
2
·град;
т
кт
0,5 С/Вт;R
=
т
кс
95 С/Вт;R
=
п.доп
150 С;Т
=
с.в
60 С;Т
=
з
0,8
K
=
и трех значений
т
пк
1C/ВтR
=
(кривая 1);
т
пк
5 С/ВтR
=
(кривая 2);
т
пк
10 С/ВтR
=
(кри-
вая 3).
В случае параллельного соединения транзисторов необходимая пло-
щадь теплоотвода уменьшается за счет снижения тепловых сопротив-
лений
ттт
пк кс кт
,,RRR
, поскольку в данном случае их значения уменьша-
ются в N раз.
°С/ВтR
тс.доп
80
0
4 8 12 16 20 24
100
60
40
20
1
2
3
P
кmax
Вт
Рис. 2.2
т
пк
т
пк
т
пк
кривая 1 – 1 С/В т
кривая 2 – 5 С/В т
кривая 3 – 10 С/Вт
R
R
R
=°
=°
=°
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
