Составители:
40
суммарный коллекторный ток параллельного соединения транзисто-
ров должен быть больше тока нагрузки, т. е.
к1 з н
Ni K I
≥
,
где i
к1
– допустимый ток коллектора одного транзистора.
Таким образом, для определения реального оптимального числа
*
opt
N
целесообразно построить соответствующие графические зависимости
(2.9), (2.13) и выбрать
*
op
t
N
, как это сделано в рассмотренном ниже
примере.
Пример. Рассмотрим расчет площади радиатора в виде плоской пла-
стины и числа параллельно включенных транзисторов для следующих
исходных данных: P
кmax
= 5 Вт; транзисторы марки КТ816 (КТ817);
п.доп
150 СТ
=
; K
т
=
0,0015 Вт/см
2
·град;
тт
кт кс
0,5 С/Вт; 95 С/Вт;RR
==
т
с.в пк з
60 С; 5 °С/Вт; 0,8.ТR K
== =
В соответствии с (2.12) определяем область допустимых значений:
()
()
тт
кmax кс пк
зп.доп с.в
595 5
8,3;
0,8 150 60
РRR
K ТТ
+
+
==
⋅−
−
тт
т
кс кт
кmax пк
тт
кс кт
зп.доп с.в
95 0,5
55
95 0,5
0,46,
0,8 150 60
RR
РR
RR
K ТТ
⋅
⋅
+
+
+
+
==
⋅−
−
т. е. 8 > N > 1.
Результаты расчетов Q
тN
(N) и Q
г
(N) в виде графиков показаны на
рис. 2.4, из которого следует, что N
opt
≈ 7,5. Полученное значение N
opt
необходимо округлить до ближайшего целого либо в большую, либо в
меньшую сторону. При округлении в большую сторону следует учиты-
вать, что площадь радиатора будет соответственно равна Q
г
, так как
Q
г
> Q
тN
. Поэтому целесообразно округлить значение N
opt
в меньшую
сторону, приняв N
opt
= 7. При этом площадь плоского радиатора и
каждый из параллельно включенных транзисторов будет рассеивать
≈ 0,7 Вт.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
