Составители:
41
Исходя из изложенных выше рекомендаций, учитывая прежде всего
уменьшение числа параллельно включенных транзисторов и относи-
тельное изменение площади теплоотвода, окончательно принимаем
N = 2, при котором площадь пластины Q
тN
= 58 cм
2
и каждый из парал-
лельно включенных транзисторов рассеивает мощность 2,5 Вт.
Однако теплоотвод в виде пластины при необходимости рассеива-
ния больших мощностей оказывается неприемлемым из-за существен-
ных массогабаритных показателей. Поэтому для улучшения конструк-
тивных свойств теплоотвода удобно увеличивать его поверхность за
счет ребер. Наиболее простым в изготовлении является теплоотвод, ус-
тройство которого показано на рис. 2.5.
Применение теплоотводов в форме куба с профрезерованными реб-
рами позволяет существенно уменьшить размеры основания радиатора.
В этом случае площадь основания теплоотвода будет
т
осн
2
N
Q
Q
=
.
Исходными данными для расчета конструкции ребристого радиатора
являются: рассеиваемая транзистором мощность; тепловое сопротивле-
ние между корпусом транзистора и теплоотводом
т
кт
R
; тепловое со-
противление переход–корпус
т
пк
R
; допустимая температура перехода
Рис. 2.4
см
2
Q
т
N
N
1
234
5
67
0
10
20
30
40
50
60
70
8
80
90
100
N
opt
Q
Q
г
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
