Составители:
43
рр2
0
φ
γ
,2λ;
r
Fd
L
=
22
0
2
,
rr
L
HD
=
+
где r – радиус транзистора, если его основание имеет форму круга. Когда
основание транзистора прямоугольное площадью s, для проведения всех
расчетов следует определить радиус эквивалентной окружности, т. е.
т
экв
π
S
rr==
;
либо в случае параллельного включения N транзисторов, размещаемых
на одном общем теплоотводе:
т
экв
.
π
NS
rr==
5. По полученным значениям
р
φ
и
0
r
L
из табл. 2.2 определяется
критерий γ.
0,8
g
1,0
0,6
0,4
0,2
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
3,0
χ
1
2
3
4
5
Рис. 2.6
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »
