Проектирование электронных усилительных устройств систем автоматического управления. Шишлаков В.Ф. - 59 стр.

UptoLike

Составители: 

59
Ток коллектора транзистора при известных значениях сопротивле-
ний R
б
и R
э
, тока источника i
с
, напряжения источника e
с
может быть
определен по эквивалентной схеме
()
ккб0
бб экб0 т бс с
э0
к
1
1
бб
э
αln 1α α
α
,
β1
iNI
rRNRI m Ri e
NI
i
rN R
RN

++ ϕ ++ +


=
+
+
+
(2.19)
где α – коэффициент передачи тока в схеме с общей базой; N – число
параллельно включенных транзисторов; I
кб0
– обратный ток перехода
коллектор–база; I
э0
– тепловой обратный ток эмиттерного перехода.
При пассивном запирании транзистора i
с
= 0 и e
с
= 0, тогда из выра-
жения (2.19) получаем зависимость R
б
от тока коллектора транзистора
в закрытом состоянии
()
к.закр к.закр
ткб0 э
кб0 кб0 э0 кб0
б
б
к.закр
кб0
ln 1 1 1
,
1
β1
ii
mI R
NI NI I NI N
r
R
i
N
NI

 
ϕ
−++

 
 

=−
+
(2.20)
где объемное сопротивление базы r
б
может быть определено по вход-
ной характеристике транзистора в области больших токов
бэ
б
б
U
r
i
;
значения обратных токов переходов I
кб0
и I
э0
определяются из справоч-
ной литературы, при отсутствии необходимой информации можно за-
дать отношение токов
кб0
э0
2...10
I
I
=
, а обратный ток перехода коллек-
тор–база как функция температуры и обратного напряжения
определяется соотношением
() ()
()
зп п0
γ
кб0п кэ у.гкэ п0п0
, ξ2 5
KT T
i
ITU KU ITe



=+


,
здесь ξ
i
= 0,5…2 – коэффициент, учитывающий технологический раз-
брос величин обратного тока; γ[1/°С] = (0,07…0,1) – масштабный коэф-