Проектирование электронных усилительных устройств систем автоматического управления. Шишлаков В.Ф. - 60 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

60
фициент;
п0
20 С
T
°
=
– нормальная температура перехода;
()
п0 п0
IT
–
тепловой ток перехода, измеренный при
п0
20 С
T
°
=
; K
у.г
– коэффици-
ент утечки и генерации носителей заряда.
Пример. Рассмотрим определение обратного тока перехода коллек-
тор–база для транзистора КТ809А при температуре
п
60 С
T
°
=
и U
кэ
= 40 В.
Из справочных данных следует: I
кб0
(25 °С, 400 В) = 3 мA; I
кб0
(125 °С,
300 В) = 10 мA, принимаем ξ =0,5 ; γ = 0,1[1/°С]; K
з
= 0,8 тогда
() ()
()
() ()
()
0,1 0,8 25 20
кб0 у.г п0
0,1 0,8125 20
кб0 у.г п0
25 ,400 В 0,5 2 400 5 20 ;
125 ,300 В 0,5 2 300 5 20 ,
IKIe
IKIe




⋅−
⋅−

=+



=+


либо с учетом значений обратных токов перехода коллектор–база:
()
()
()
()
0,1 0,8 25 20
у.г п0
0,1 0,8125 20
у.г п0
0,5 2 400 5 20 0,003;
0,5 2 300 5 20 0,01.
KIe
KIe
⋅−
⋅−

+=



+=




Решение системы уравнений дает следующие значения: I
п0
(20 °С) =
= 0,52 мкА; K
у.г
= 7,45 мкА/В, используя которые можно определить
искомое значение обратного тока через переход коллектор–база при за-
данных значениях температуры перехода и напряжении коллектор–эмит-
тер. В результате получим
()
()
0,1 0,860 20
кб0
60 С,40 В 0,5 2 7,45 40 5 0,52 319 мкАIe

⋅−

=⋅⋅+⋅⋅ ≈


.
При построении зависимости R
б
(i
к.закр
) необходимо учитывать, что
минимальное значение i
к.закр
не должно давать под знаком логарифма
отрицательного значения, а максимальное значение i
к.закр
не должно
давать отрицательного числа в знаменателе. Следовательно, аргумент
функции может изменяться в пределах:
()
кб0 к.закр кб0
β1.NI i NI
≤≤ +

Страницы