Проектирование электронных усилительных устройств систем автоматического управления. Шишлаков В.Ф. - 62 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

62
ствии с соотношениями (2.20) и (2.21) построим зависимости i
к.закр
(R
б
)
и η(i
к.закр
(R
б
), R
б
) для следующих исходных данных: транзисторы VT
1
и
VT
2
марки КТ816А (КТ817А); R
э.ур
= 2 Ом; I
кб0
= 0,1 мА; I
э0
= 0,05 мА;
п.доп
150 СТ

=
; m = 2; β = 40;
бэ.нас
б
б.нас
5 Ом
U
r
i
==
; U
н
= 7 В; I
н
= 2 А;
U
ИП
= 9 В.
Определяем температурный потенциал
(
)
()
з
п
т
0,026 273
0,026 0,8 150 273
0,03487
293 293
KT +
⋅+
ϕ= = =
,
а затем, подставляя исходные данные в (2.19) и (2.20), получаем функ-
циональные зависимости i
к.закр
(R
б
) и η(i
к.закр
(R
б
), R
б
)
()
43
к.закр к.закр
б
к.закр
348,73ln 10 1 5 10 1
2,5
1 121,95
ii
R
i
++⋅ −
=−
−
,
где аргумент функции изменяется в пределах:
33
к.закр
0
,2 10
А8,210Аi
−−
⋅≤≤⋅
;
к.закр
б
1
η.
91,75
1
7
i
R
=

++


i
рказ.к
Ам, R
б
мО,
η
12,084,2040477,0
05,045,4663577,0
57,010,2285577,0
00,187,4787577,0
00,228,31413577,0
00,374,80917477,0
00,420,46521477,0
00,568,47535377,0
00,610,55459277,0
Зависимости i
к.закр
(R
б
) и
ηη
ηη
η(i
к.закр
(R
б
), R
б
)
Таблица 2.4

Страницы