Составители:
68
нием области допустимых значений, ограниченной прямыми, соответ-
ствующим условиям:
достаточности входного напряжения;
ограничения тока базы транзистора максимально допустимым значе-
нием;
требуемого входного сопротивления каскада;
обеспечения требуемой термостабильности;
обеспечения требуемого тока нагрузки;
ограничения максимально допустимого значения обратного напря-
жения база–эмиттер.
Вариант 1
Схема усилительного каскада показана на рис. 3.3, где R
нi
– входное
сопротивление следующего каскада усиления; А и В – точки подключе-
ния следующего каскада, а эквивалентная расчетная схема одного пле-
ча показана на рис. 3.4.
1. Условие достаточности входного напряжения определяем исходя
из предположения, что транзистор находится в состоянии насыщения,
тогда:
()
вх max б б б.э н э з
,
iU
U
IR U I R K
≥++
(3.1)
где K
зU
= 1,1...1,3 – коэффициент запаса по напряжению; U
вх max
=
= U
вых ОУmax
напряжение на входе усилительного каскада, соответству-
ющее напряжению выхода операционного усилителя (из паспортных дан-
ных); U
бэ
= U
бэ.нас
= 0,5...1 В (при отсутствии справочных данных);
н
б
min
β
i
I
I =
,
здесь I
нi
ток нагрузки усилительного каскада, соответствующий входному
току следующего каскада усиления, определенному в предыдущих расчетах.
Из соотношения (3.1) следует функциональная зависимость R
б
= R
б
(R
б
)
выхОУmax
бэ.нас
з
бэmin
н
β.
U
i
U
U
K
RR
I
−
≤−
(3.2)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 66
- 67
- 68
- 69
- 70
- …
- следующая ›
- последняя »
