Проектирование электронных усилительных устройств систем автоматического управления. Шишлаков В.Ф. - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

69
2. Условие ограничения тока базы транзистора допустимым значе-
нием следует из соотношения
вх max б б бэ.нас э max э
,
UIRUIR
=+ +
(3.3)
где I
эmax
= I
нi
, здесь K
зi
= 1,1...1,3 – коэффициент запаса по току.
Тогда из (3.3) получаем
вых ОУmax бэ.нас н з э
бз з б.доп
б
,
ii
ii
UUIKR
IK K I
R
−−
=≤
(3.4)
где I
б.доп
– максимально допустимое значение тока базы (из паспортных
данных транзистора).
R
н
i
+U
ИП
R
э1
R
б
e
с
R
к
A
A
B
B
VT
1
DA
R
вн
VT
2
R
к
R
н
i
–U
ИП
R
э1
R
э2
Рис. 3.3

Страницы